[发明专利]一种纳米级图形化衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201210533170.7 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102945900A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 毕少强 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图形 衬底 制造 方法 | ||
1.一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成掩膜层；
在所述掩膜层上贴装多孔阳极氧化铝薄膜；
在所述多孔阳极氧化铝薄膜的孔洞中形成金属纳米颗粒，所述掩膜层的比热容大于所述金属纳米颗粒的比热容，所述金属纳米颗粒的熔点大于所述掩膜层的熔点；
去除所述多孔阳极氧化铝薄膜；
利用激光照射所述金属纳米颗粒，使所述金属纳米颗粒的温度达到所述掩膜层的熔点，以形成图形化的掩膜层；
去除所述金属纳米颗粒；
以所述图形化的掩膜层作为掩膜刻蚀所述衬底；
去除所述图形化的掩膜层，形成纳米级图形化衬底。
2.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：用蒸镀或沉积的方法在所述多孔阳极氧化铝薄膜的孔洞中形成所述金属纳米颗粒。
3.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述掩膜层的比热容至少是所述金属纳米颗粒的比热容的四倍。
4.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述金属纳米颗粒的熔点比所述掩膜层的熔点至少高500℃。
5.如权利要求4所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述金属纳米颗粒的材质为Ag或Au。
6.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述掩膜层的材质为聚合物。
7.如权利要求6所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述掩膜层的熔点小于1000℃。
8.如权利要求7所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述掩膜层的厚度为10nm~500nm。
9.如权利要求8所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述多孔阳极氧化铝薄膜的厚度大于所述掩膜层的厚度。
10.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：利用刻蚀的方法去除所述金属纳米颗粒。
11.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：所述激光的波长与所述金属纳米颗粒的等离子共振的波长一致。
12.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法，其特征在于：利用化学机械研磨或刻蚀的方法去除所述掩膜层。
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