[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201210533174.5 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102983236A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 毕少强 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种LED芯片，包括衬底以及依次于所述衬底上的N型GaN层、有源层和P型GaN层，其特征在于：在所述有源层与其相邻层的界面上形成有第一金属纳米颗粒阵列。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒包括金属芯和电介质外壳。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述金属芯材质为Au或Ag。
4.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述电介质外壳材质为SiO2。
5.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒的形状为球形、椭球形或三角锥形中的一种。
6.如权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒的形状为球形。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒之间的间距大于等于所述金属纳米颗粒的直径。
8.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列形成于所述有源层与P型GaN层的界面上。
9.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列形成于所述有源层与N型GaN层的界面上。
10.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：在所述P型GaN层表面形成有第二金属纳米颗粒阵列。
11.如权利要求1至10中任一项所述的LED芯片，其特征在于：所述衬底是经过图形化处理的蓝宝石衬底。
12.一种如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成N型GaN层；
在所述N型GaN层上形成有源层和第一金属纳米颗粒阵列；
在所述N型GaN层上形成P型GaN层。
13.如权利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：先在N型GaN层上形成第一金属纳米颗粒阵列，然后形成有源层。
14.如权利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：先在N型GaN层上成有源层，然后在有源层上形成第一金属纳米颗粒阵列。
15.如权利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒包括金属芯和电介质外壳。
16.如权利要求15所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒的形状为球形、椭球形或三角锥形中的一种。
17.如权利要求16所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一金属纳米颗粒阵列的金属纳米颗粒之间的间距大于等于所述金属纳米颗粒的尺寸。
18.如权利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：在形成P型GaN层之后在所述P型GaN层表面形成第二金属纳米颗粒阵列。
19.如权利要求12所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：在形成所述N型GaN层前对所述衬底进行图形化处理。
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