[发明专利]一种离子注入系统

权利要求书

1.一种离子注入系统，包括：

一离子注入腔室，用于给所述离子注入系统提供真空注入环境；

一进气口，所述进气口设于所述离子注入腔室的第一边上，所述进气口用于给所述离子注入系统提供注入气体；

一出气口，所述出气口设于所述离子注入腔室的第二边上，所述出气口用于将所述注入气体抽离所述离子注入腔室，且，所述第一边与所述第二边为对边；

一基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；

一射频电源，所述射频电源与所述基片台的第二部分连接，用于给所述注入气体放电产生等离子体提供电源；

一脉冲电源，所述脉冲电源与所述离子注入腔室连接，用于给所述离子注入提供脉冲电源；

其中，所述待注入样片具有第一面和第二面，其中第一面的面积大于所述第二面的面积；且，所述气体流向具有第一方向；

所述基片台的所述第一部分使得所述待注入样片的第一面面对所述注入气体流向的第一方向，且所述待注入样片的第一面为第二方向，所述第二方向与所述注入气体流向的所述第一方向不同。

2.如权利要求1所述的一种离子注入系统，其特征在于，所述离子注入系统还包括：

一注入源，所述注入源与所述进气口连接；

其中，所述注入源中置入的金属为单质铟或者铟氧化物。

3.如权利要求2所述的一种离子注入系统，其特征在于，所述基片台的所述第一部分包括：

一电极卡盘，所述电极卡盘用于卡设待注入样片，且通过电极卡盘与所述气流的位置关系实现避免进入所述离子注入腔室中的未经电离的铟颗粒落在待注入样片上。

4.如权利要求2所述的一种离子注入系统，其特征在于，所述离子注入系统还包括：

一加热装置，所述加热装置与所述注入源连接，用于加热所述注入源并形成所述注入气体。

5.如权利要求1所述的一种离子注入系统，其特征在于，所述离子注入系统还包括：

一组合泵，所述组合泵与所述出气口连接，所述组合泵用于通过出气口将反应后的注入气体抽走。

6.如权利要求2所述的一种离子注入系统，其特征在于，所述离子注入系统还包括：

一通氧装置，所述通氧装置与所述注入源连接，用于当注入源中为单质铟的情况下，实现单质铟与所述通氧装置通入的氧气反应生成铟的氧化物。