[发明专利]发光设备及其制造方法

权利要求书

1.一种发光设备，包括：

壳体；

窗口；和

设置在由壳体和窗口形成的封闭空间中的半导体激光器，

该窗口包括没有暴露于封闭空间设置的荧光材料，

该荧光材料吸收从半导体激光器发射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光，并且

二次光穿过窗口射出。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括设置在封闭空间中的半导体底座材料，该半导体底座材料具有底面和侧面，至少部分侧面是反射镜部分，

该半导体激光器安装在半导体底座材料的底面上，并且

从半导体激光器发射并且由反射镜部分反射的激光由荧光材料吸收。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，荧光材料为任意一种掺杂有从包括二价铕、三价铕、三价铽、三价铈和三价镨的组中选取的一或多种稀土离子的晶体和玻璃。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，荧光材料是（Y_xGd_1-X）（Al_YGa_1-Y）O₁₂。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，封闭空间为惰性气体环境。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，激光的波长为470纳米或更小。

7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：

第一电极；

第二电极；以及

所述壳体是具有形成于主表面中凹槽部的半导体衬底，该主表面具有第一面取向，该凹槽部具有侧面，且该侧面具有第二面取向；

所述半导体激光器安装在凹槽部中；

所述窗口包括晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料，该荧光材料固定到半导体衬底的主表面上并荧光材料将半导体激光器封装在凹槽部中形成的封闭空间内；

所述第一电极在与主表面相对的半导体衬底的主表面上延伸，该第一电极连接至半导体激光器的主电极之一；和

所述第二电极在半导体衬底的侧面上延伸，该第二电极连接至半导体激光器的主电极中的另一个；

该荧光材料吸收从半导体激光器发射并且由凹槽部的侧面反射的激光并且发射具有的波长不同于激光波长的二次光。

8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，荧光材料为任意一种掺杂有从包括二价铕、三价铕、三价铽、三价铈和三价镨的组中选取的一或多种稀土离子的晶体和玻璃。

9.如权利要求7所述的设备，其特征在于，荧光材料是（Y_xGd_1-X）（Al_YGa_1-Y）O₁₂。

10.如权利要求7所述的设备，其特征在于，封闭空间为惰性气体环境。

11.如权利要求7所述的设备，其特征在于，激光的波长为470纳米或更小。

12.一种用于制造发光设备的方法，包括：

在半导体衬底的主表面中形成凹槽部，该主表面具有第一面取向，该凹槽部具有侧面，且该侧面具有第二面取向；

将半导体激光器安装在凹槽部的底面上；

在半导体衬底的主表面上形成表面电极并且将该表面电极连接至半导体激光器；以及

并且将晶体和玻璃中任一种形式的荧光材料粘合到半导体衬底的主表面上以将半导体激光器封装在凹槽部内。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：

在封装之后将半导体衬底和荧光材料切割并且分成发光设备的管芯，每个发光设备的管芯包括激光元件和表面电极；

将分开的发光设备的管芯并置，其中每个发光设备的管芯的切割面面向相同方向；

通过在每个并置的发光设备的管芯的切割面上沉积导电材料形成连接至表面电极的侧电极；以及

将并置的发光设备的管芯彼此分开。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，侧电极形成有保持不平行于导电材料的金属目标的表面的切割面。