[发明专利]非线性光学晶体亚碲钼酸镉及其制备和用途

说明书

技术领域

本发明涉及化学式为CdTeMoO₆的非线性光学晶体亚碲钼酸镉、这种晶体的制备方法以及利用该晶体制作的非线性光学器件。

背景技术

具有非线性光学效应的晶体称为非线性光学晶体。这里非线性光学晶体效应是指倍频、和频、差频、参量放大等效应。利用晶体的非线性光学效应， 可以制成二次谐波发生器， 上、下频率转换器，光参量振荡器等非线性光学器件。激光器产生的激光可通过非线性光学器件进行频率转换，从而获得更多有用波长的激光，使激光器得到更广泛的应用。

近年来，同时含有d⁰过渡金属离子(Ti⁴⁺, Nb⁵⁺, Mo⁶⁺, etc.)和具有孤对电子的阳离子(Pb²⁺, Bi³⁺, Te⁴⁺, I⁵⁺, etc.) 复合组成的非线性光学材料吸引了越来越多的关注。对于这两种阳离子，它们都容易发生姜-泰勒畸变，形成非中心对称的结构基元，而具有两种非中心对称结构基元的非中心对称材料往往具有更为突出的非线性光学效应。这类材料有很多，包括BaTeM₂O₉ (M = Mo⁶⁺ or W⁶⁺) （参见《J. Am. Chem. Soc.》Vol 125, 7764, 2003），BaNbO(IO₃)₅（参见《J. Am. Chem. Soc.》Vol 131, 9486，2009）, Li₂Ti(IO₃)₆（参见《J. Am. Chem. Soc.》 Vol 131, 2426，2009）, Na₂TeW₂O₉（参见《Chem. Mater.》Vol 14, 3174，2002）, Cs₂TeMo₃O₁₂（参见《Inorg. Chem.》Vol 37, 4764，1998）, Na₂Te₃Mo₃O₁₆（参见《Chem. Mater.》Vol 18, 2070，2006）, Li₆(Mo₂O₅)₃(SeO₃)₆（参见《Inorg. Chem.》Vol 51, 9529，2012）, (NH₄)₂Te₂WO₈（参见《Chem. Mater.》Vol 20, 3542，2008）,等等。然而，在此类材料中，其电荷补偿离子都是碱金属、碱土金属或铵离子等对非线性光学效应的贡献可以忽略的离子。于是，采用能对非线性光学效应产生贡献的d¹⁰离子如Zn²⁺、Cd²⁺代替上述补偿离子，便有可能得到一类包含三种非对称结构基元的新型非线性光学材料。由于具有更高浓度的非线性光学活性基元，这类非线性光学材料可能会具有更大的非线性光学效应。基于上述思想，本发明人在大量探索的基础上，作出了本发明。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种非线性光学晶体亚碲钼酸镉。

本发明的目的之一是提供亚碲钼酸镉单晶体的制备方法。

本发明的目的之一是提供一种非线性光学器件。

本发明的技术方案如下：

本发明提供一种非线性光学晶体，其特征在于: 其化学式为CdTeMoO₆，分子量为351.94，其晶体结构属四方晶系，空间群；晶胞参数为a = b = 5.2860(7) Å，c = 9.0660(18) Å, V = 253.32(7) ų, Z=2。