[发明专利]一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺无效
| 申请号： | 201210534180.2 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102969405A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 鲁伟明;初仁龙;费存勇;王志刚 | 申请（专利权）人： | 泰通（泰州）工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B31/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225312 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺，其特征是，包括以下步骤：
a.将清洗制绒后的硅片放入管式扩散炉中；
b.升温至800-860 oC，通入携带有POCl3的N2和O2，保持一定的时间；
c.控制温度在800-860 oC，停止通入携带有POCl3的N2，保持一定的时间；
d.降低温度至室温，取出硅片，扩散完毕。
2.根据权利要求1 所述的高效浅结太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述步骤b中，携带POCl3的N2和O2的流量比为6:1-1:3，时间为10-60min。
3.根据权利要求1 所述的高效浅结太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述步骤c中时间为0-60min。
4.根据权利要求1 所述的高效浅结太阳能电池的扩散工艺，其特征是，所述扩散后的方块电阻为80Ω-120Ω/口，结深为0.1-0.25μm， 磷原子的表面浓度为1.0x1020cm-3至10.0×1020 cm-3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
