[发明专利]一种复合半导体层有效
| 申请号： | 201210535419.8 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103000613A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郭鹏;刘东屏;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 半导体 | ||
1.一种复合半导体层，其特征在于，包括：
SOI衬底，沉积于体硅材料上，且该SOI衬底上沉积有硅薄膜；
场效应晶体管，在所述硅薄膜上，其源极通过第一过孔连接到第二辅助输入/输出信号线上，该第二辅助输入/输出信号线通过第三过孔连接到第一辅助输入/输出信号线上，所述漏极通过第二过孔连接到第一金属电极上；
其中，所述第一金属电极通过第四过孔连接到第二金属电极上，且该第二金属电极的一端通过第一通孔连接到第二输入/输出信号线上，在该第二金属电极另一端上依次沉积铁电层、反铁磁层、下部铁磁层、隧道绝缘势垒层、上部铁磁层、顶部覆盖层；
所述反铁磁层通过第二通孔连接到第三输入/输出信号线上；
所述顶部覆盖层通过第五过孔连接到第一输入/输出信号线上。
2.如权利要求1所述的复合半导体层，其特征在于，所述下部磁性层、上部磁性层的组成材料为铁磁性材料、半金属磁性材料或磁性半导体材料。
3.如权利要求1所述的复合半导体层，其特征在于，所述隧道绝缘势垒层的组成材料为绝缘氧化物。
4.如权利要求1所述的复合半导体层，其特征在于，所述输入/输出信号线和通孔或过孔的组成材料为半导体工艺上通用的导电良好的金属。
5.如权利要求1所述的复合半导体层，其特征在于，所述反铁磁性层的组成材料由合金材料或反铁磁性材料。
6.如权利要求1所述的复合半导体层，其特征在于，所述顶部覆盖层的组成材料为Ta、Ru或它们的组合。
7.如权利要求1所述的复合半导体层，其特征在于，所述铁电层的组成材料为BFO、BTO、STO、PMN-PT、PTO、BiMnO3。
8.如权利要求2所述的复合半导体层，其特征在于，所述铁磁性材料包括：3d过渡族磁性金属、铁磁性合金、稀土金属及其铁磁合金。
9.如权利要求2所述的复合半导体层，其特征在于，所述半金属磁性材料包括：Heussler合金。
10.如权利要求2所述的复合半导体层，其特征在于，所述磁性半导体材料包括：Fe、Co、Ni、V、Mn掺杂的ZnO、TiO2、HfO2和SnO2，以及Mn掺杂的GaAs、InAs、GaN和ZnTe。
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