[发明专利]包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，其特征在于：所述晶体管包括第一掺杂类型的集电区，位于所述集电区上的本征基区和埋氧层，位于所述基区上的发射极，位于所述发射极两侧的侧墙，位于所述埋氧层上的第二掺杂类型的硅层，以及位于所述硅层上的外基区。

2.根据权利要求1所述的包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，其特征在于，所述外基区的一部分位于所述侧墙的下方。

3.根据权利要求1所述的包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，其特征在于，所述外基区在所述基区上产生应力。

4.一种包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法，其特征在于，所述方法的至少包括下述步骤：

4.1制备第一掺杂类型的集电区；在所述集电区上注入形成注氧层，高温推进形成埋氧层；

4.2在所得结构上制备第二掺杂类型的基区；

4.3在基区上淀积第一介质层；

4.4在第一介质层开设窗口；

4.5在所得结构上依次制备第一掺杂类型多晶层和第二介质层；

4.6光刻、刻蚀所述第二介质层和多晶层形成发射极，去掉第一介质层裸露的部分；

4.7淀积第三介质层，通过各向异性刻蚀在所得发射极结构的侧面形成侧墙结构；

4.8以上述所得的发射极和侧墙结构作为掩蔽，刻蚀所得结构中未被覆盖的基区，刻蚀厚度大于基区的厚度；距所述埋氧层10nm至100nm时刻蚀停止，保留所述埋氧层上的硅层，对所述硅层进行第二掺杂类型注入；

4.9在所得结构上采用原位掺杂选择性外延工艺制备第二掺杂类型的外基区；

4.10在外基区表面制备一层金属硅化物结构；

4.11在所得结构上制备接触孔，引出发射极电极和基区电极。

5.根据权利要求4所述的包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.2中制备基区的材质是硅、锗硅或者掺碳锗硅。

6.根据权利要求4所述的包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.3中第一介质层为复合介质层，所述复合介质层包括淀积在基区表面的氧化硅层和淀积在氧化硅层表面的氮化硅层。

7.根据权利要求4所述的包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.5中的多晶层是多晶硅层或是多晶锗硅层；介质层是氧化硅或者是氮化硅。

8.根据权利要求4所述的包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.8中刻蚀的厚度在10nm至2000nm之间；刻蚀基区时向侧墙下方进行钻蚀。

9.根据权利要求4所述的包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.9中的外基区使用选择外延生长方法制备，外基区的材质是硅，或者是锗硅，或者是掺碳锗硅；杂质的掺杂浓度在1E19～1E21cm^-3。