[发明专利]提高厚膜混合集成电路同质键合系统批量生产性的方法有效
申请号: | 201210535642.2 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103107107A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 杨成刚;苏贵东 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B24B29/00 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 混合 集成电路 同质 系统 批量 生产性 方法 | ||
1. 一种提高厚膜混合集成电路同质键合系统批量生产性的方法,其特征在于该方法是从一次性提高每个同质键合系统质量一致性的角度出发,采用整体化学机械抛光的方法来实现的,即:选择由有机纤维制成的旋转式抛光垫,贵金属抛光液,通过旋转式抛光机对整个金导带及键合区进行整体抛光,使其表面平整度≤0.1μm;然后进行电阻浆料的印刷、烧结和调阻;接着采用机械掩模的方法,在高真空溅射台或蒸发台中,在已抛光的键合区表面形成一层铝薄膜、镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜;最后,按常规混合集成电路集成工艺,将半导体芯片和片式元器件集成在处理后的厚膜基片上,半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合,管脚与基片之间采用金丝键合,即实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合,从而提高厚膜混合集成电路同质键合系统批量生产性。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述贵金属抛光液的磨粒硬度在5GPa~50GPa范围内,粒子直径≤100nm。
3. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述铝薄膜、或镍-铬-铝复合薄膜或铬-铜-铝复合薄膜的厚度控制在1~5μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造