[发明专利]带隙基准源电路无效
| 申请号： | 201210535847.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103869873A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱红卫;刘国军;唐敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 电路 | ||
1.一种带隙基准源电路,其特征在于,包括：三个镜像电流支路、三个电阻、两个NPN晶体管和一个运算放大器；
所述三个镜像电流支路的电流大小成比例关系，第一NPN晶体管的发射极面积为第二NPN晶体管的发射极面积的N倍，N大于1；
第一电阻连接于第一镜像电流支路的输出节点和地之间；
第二电阻的第一端和所述第一镜像电流支路的输出节点相连，所述第二电阻的第二端和所述第一NPN晶体管的集电极和基极相连，所述第一NPN晶体管的发射极接地；
所述第二NPN晶体管的集电极和基极都和所述第二镜像电流支路的输出节点相连，所述第二NPN晶体管的发射极接地；
第三电阻连接于第三镜像电流支路的输出节点和地之间；
所述第一镜像电流支路的输出节点连接所述运算放大器的同相输入端，所述第二镜像电流支路的输出节点连接所述运算放大器的反相输入端，所述运算放大器的输出端控制所述三个镜像电流支路的大小；所述第三镜像电流支路的输出节点作为参考电压的输出端。
2.如权利要求1所述带隙基准源电路，其特征在于：所述第一镜像电流支路由第一PMOS管组成，所述第二镜像电流支路由第二PMOS管组成，所述第三镜像电流支路由第三PMOS管组成；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的源极都接工作电压，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的栅极都接所述运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的漏极为所述第一镜像电流支路的输出节点，所述第二PMOS管的漏极为所述第二镜像电流支路的输出节点，所述第三PMOS管的漏极为所述第三镜像电流支路的输出节点。
3.如权利要求1或2所述带隙基准源电路，其特征在于：所述第一镜像电流支路、所述第二镜像电流支路和所述三个镜像电流支路的电流大小比例为2:1:2。
4.如权利要求3所述带隙基准源电路，其特征在于：所述第一镜像电流支路的流过所述第一电阻的第一分支电流和流过所述第二电阻和所述第一NPN晶体管的第二分支电流的大小比值为1:1。
5.如权利要求1所述带隙基准源电路，其特征在于：通过调节所述第三电阻和所述第一电阻的比值调节所述参考电压的大小。
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