[发明专利]LED晶圆多晶粒检测方法及装置

权利要求书

1.一种LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，包括步骤：

a、将LED发光晶圆切割为复数个LED发光晶粒后，将所述LED发光晶圆覆盖热塑性材质的置晶胶膜，形成附有LED发光晶粒的置晶胶膜；

b、将所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜加热后沿周围平均施力拉张，使附于所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的各LED发光晶粒间具形成间隔及具有距离；

c、将所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜移入LED发光组件检测装置的检测平台，经由晶粒影像撷取模块撷取所述复数个LED发光晶粒的影像后，将影像信息传到晶粒位置数量分析模块；

d、所述晶粒位置数量分析模块计算出所述复数个LED发光晶粒的位置及间距；

e、依据计算后的所述复数个LED发光晶粒的位置，手动或自动调整数个探针模块的最佳的探针间距；以及

f、依据调整后所述数个探针模块的最佳的探针间距，分析并计算出每次下针的最佳坐标，并再利用Z up/down的修正后，进行量测。

2.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块是根据接收所述晶粒影像撷取模块的影像数据后，计算出所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的所述LED发光晶粒的位置。

3.根据权利要求2所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒探针模块是根据所述晶粒位置数量分析模块计算出的所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的所述LED发光晶粒的位置，调整探针间的距离。

4.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距，计算步骤如下：

计算所述复数个LED发光晶粒的间距，并在排序后取中间50%的数据并计算出算术平均数，因此确定所述复数个LED发光晶粒的位置及间距，采用下列公式确定：

d_xy-1=a_xy-a_xy-1，1≤x≤n，1≤y≤m

其中n为所述复数个LED发光晶粒的X方向的排数，m是为所述复数个LED发光晶粒的Y方向的排数；

由上式界定任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离表示式为:

d_ij=a_ij+1–a_ij

任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的Y距离表示式为:

k_ij=b_ij+1–b_ij

其中，i为介于1和m之间的正整数，j为介于1和n之间的正整数；

令D_Q1为d_ij的第一四分位数，D_Q3为d_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列：

D_Q1≤d_ij≤D_Q3

再取所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离算术平均数；

令K_Q1为k_ij的第一四分位数，K_Q3为k_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列

K_Q1≤k_jj≤K_Q3

再取所述复数个LED发光晶粒的Y轴方向距离算术平均数，即为所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距。