[发明专利]制造凸起的方法和制造半导体器件的方法

说明书

本申请要求于2011年12月12日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0132956号韩国专利申请的权益，该申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种凸起制造方法，更具体地讲，涉及一种通过调节回流条件来提供各种形状的凸起的凸起制造方法。

背景技术

半导体器件尤其是半导体发光器件可以被制造成封装件或模块。近来，与被制造成封装件相比，半导体器件正在更频繁地被制造成用于包含直接位于板上的模块的板上芯片（COB）方案的模块。因此，制造成用于COB方案的半导体器件模块可以降低用于制造封装件的成本，并且可以通过减少热传递路径来改善散热。

已经开发出将半导体器件模块制造成包含位于模块板上的倒装芯片的形式的半导体器件的模块上倒装芯片（FCOM）。因此，当将半导体器件模块制造成用于COB方案时，可以将半导体器件模块制造成FCOM，因此，可以不使用引线结合来提供半导体器件和模块板之间的电连接。FCOM可以包括基于倒装芯片方案的半导体器件，因此，半导体器件可以密集地安装在模块板上，并可以减小模块的尺寸。

为了连接FCOM，可以使用在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸起的工艺。例如，可以基于镀覆方案或丝网印刷方案来执行凸起形成工艺。

镀覆方案可以以精细的节距形成凸起，并可以制造各种尺寸的凸起。然而，由于制造成本高，所以会不利地影响半导体器件模块的价格竞争力。

相比之下，尽管丝网印刷方案具有简单的制造工艺和相对较低的制造成本，但是丝网印刷方案会难以在凸起之间提供精细的节距。然而，丝网印刷方案可适合于在凸起之间不需要精细的节距的发光器件。当基于丝网印刷方案形成凸起时，可以将其上形成有凸起的半导体器件进行回流。

图1示出了通过回流工艺进行回流的凸起12的常规形状。

参照图1，凸起12可以通过回流工艺散布在包括在半导体器件10中的整个电极焊盘11上，并且凸起的表面随着表面能量降低而变得弯曲。例如，凸起12的结合表面的形状可取决于电极焊盘11，凸起12可以具有凸起的表面。

凸起12的形状可以根据将应用半导体器件10的产品而改变。为了将图1中的凸起12的形状改变为球形，可以将电极焊盘11制造成圆形。然而，在这种情况下，仍难以以完全的球形制造凸起12。

因此，为了将凸起12的形状改变为球形，会需要在回流工艺期间用来改变凸起12的形状的附加工艺或装置。

发明内容

本公开的一方面提供了一种通过在氧气氛下将凸起回流来改变凸起的形状的凸起制造方法。

根据一个实施例，提供了一种凸起制造方法，所述方法包括：在包括在半导体器件上的电极焊盘上形成凸起；以及通过在氧气氛下对形成在半导体器件上的凸起进行回流来控制凸起的形状。

电极焊盘可以包括：第一电极层，由铬（Cr）形成，并形成在半导体器件上；以及第二电极层，由金（Au）、银（Ag）、铂（Pt）和钯（Pd）中的至少一种形成，并形成在第一电极层上。

凸起可以对应于焊料凸起。

控制步骤可以包括：通过调节氧浓度的量来控制金属层被吸收在凸起中的吸收度。

控制步骤可以包括：通过在氧气氛下对凸起进行回流将凸起的形状控制为平面形状或球形中的一种，所述氧气氛对应于第一范围的氧浓度和比第一范围的氧浓度小的第二范围的氧浓度。

控制步骤可以包括：通过在第三范围的氧气氛下对凸起进行回流将凸起的形状控制为在电极焊盘上具有半球形状，第三范围的氧气氛比用于形成具有平坦形状的凸起的第一范围的氧浓度小且比用于形成具有球形的凸起的第二范围的氧浓度大。

第一范围的氧浓度可以在大约百万分之200（即，200ppm）和大约500ppm之间。

第二范围的氧浓度可以在大约5ppm和大约50ppm之间。

第三范围的氧浓度可以大于大约50ppm且小于大约200ppm。

形成步骤可以包括：在半导体器件上设置包括孔图案的掩模，孔图案包括形状与电极焊盘的形状相同的孔；将焊料膏在孔图案中丝网印刷；以及将掩模与半导体器件分开。

半导体器件可以对应于半导体二极管器件、半导体晶体管器件和半导体发光器件中的一种。