[发明专利]金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件

权利要求书

1.一种金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

A.提供半导体衬底；

B.以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在所述半导体衬底上淀积混合物薄膜；

C.湿法去除所述混合物薄膜；

D.对所述进行了混合物薄膜淀积和去除的半导体衬底进行退火，形成金属硅化物薄膜和超浅结；所述超浅结为PN结或者金属半导体结。

2.根据权利要求1所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在所述步骤D之前，至少执行两次所述步骤B和所述步骤C。

3.根据权利要求2所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在至少执行两次所述步骤B和所述步骤C的步骤中，每次执行所述步骤B时，采用不同的金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材。

4.根据权利要求1所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在所述步骤B中，将靶材离化成离子状态，使其产生金属离子和半导体掺杂杂质离子，并在所述半导体衬底上加衬底偏压。

5.根据权利要求4所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，所述将靶材离化成离子状态是通过在所述靶材上加第一偏压实现的。

6.根据权利要求5所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，所述第一偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。

7.根据权利要求4所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，所述衬底偏压为直流偏压、交流偏压或脉冲偏压中的任一种。

8.根据权利要求1所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在所述步骤D中，采用快速热退火RTP进行退火；

或者采用微波加热进行退火。

9.根据权利要求8所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在采用微波加热进行退火的步骤中，所述进行微波加热退火所采用的微波加热设备的腔体在加热时采用多模态和多频率的电磁波。

10.根据权利要求9所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在采用微波加热进行退火的步骤中，所述微波的频率在1.5GHZ至15GHZ之间；加热时长为1至30分钟。

11.根据权利要求1至10任一项所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，所述金属为镍Ni、铂Pt、铂Pt，钛Ti，钻Co，钼Mo中的任一种或者它们任意组合形成的合金。

12.根据权利要求1至10任一项所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，所述半导体掺杂杂质为硼B、氟化亚硼BF₂、铟Indium中的任一种或者任意组合的混合物；

或者磷P、砷As中的任一种或者任意组合的混合物。

13.根据权利要求1至10任一项所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，所述金属和半导体掺杂杂质的混合物中半导体掺杂杂质的含量在0.1％至5％之间。

14.根据权利要求1至10任一项所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅Si、锗Ge、锗化硅SiGe、III-V半导体。

15.根据权利要求1至10任一项所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在所述步骤B中，在所述半导体衬底上淀积混合物薄膜时的衬底温度为0至300℃。

16.根据权利要求1至10任一项所述的金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法，其特征在于，在所述步骤D中，所述退火的温度为300至800℃。

17.一种半导体器件，其特征在于，包含：金属硅化物薄膜和超浅结；所述金属硅化物薄膜和超浅结以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，湿法去除所述混合物薄膜，并进行退火形成；

其中，所述超浅结为PN结或者金属半导体结。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，所述金属为镍Ni、铂Pt、铂Pt，钛Ti，钴Co，钼Mo中的任一种或者它们任意组合形成的合金。