[发明专利]图像传感器器件和方法有效
| 申请号： | 201210536910.2 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103378112A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林政贤;杨敦年;刘人诚;洪丰基;蔡双吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 器件 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
图像传感器，包括位于衬底中的第一像素区和第二像素区，所述第一像素区毗邻所述第二像素区；
第一滤色器，位于所述第一像素区上方；
第二滤色器，位于所述第二像素区上方；以及
间隙，位于所述第一滤色器和所述第二滤色器之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙不含有固体材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述间隙和所述第一滤色器之间的透明固体材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述间隙和所述衬底之间的反射栅格。
5.一种半导体器件，包括：
衬底，具有第一面和第二面，所述衬底包括位于所述第一面中的第一光敏二极管和第二光敏二极管；
反射栅格，位于所述第一光敏二极管和所述第二光敏二极管之间的所述衬底的第二面上方；
第一滤色器和第二滤色器，设置在所述衬底的第二面上方；以及
间隙，位于所述反射栅格上方以及位于所述第一滤色器和所述第二滤色器之间。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述反射栅格是金属栅格。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述间隙不含有固体材料。
8.一种制造图像传感器器件的方法，所述方法包括：
在衬底中形成第一光敏二极管和第二光敏二极管，所述第一光敏二极管和所述第二光敏二极管位于毗邻的像素区中；
在所述衬底上方形成第一滤色器覆盖层；
去除所述第一滤色器均厚层的第一部分以在所述第一光敏二极管上方形成第一滤色器；
在所述衬底上方形成第二滤色器均厚层；以及
去除所述第二滤色器均厚层的第二部分以在所述第二光敏二极管上方形成第二滤色器，所述第一部分的去除和所述第二部分的去除形成与所述第一滤色器和所述第二滤色器都毗邻的开口。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述第一滤色器和所述第二滤色器上方沉积氧化物。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积所述氧化物来密封所述开口内的空隙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
