[发明专利]改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性的方法

权利要求书

1.一种改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性的方法，其特征在于该方法从逐个提高每个同质键合系统质量一致性的角度出发，采用局部化学机械抛光方法来实现的，即：在原有工艺的厚膜电阻修调、测试完毕后、掩膜淀积薄膜之前，增加厚膜键合区表面整平工艺，具体方法是：选择合适的贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后，采用机械掩模的方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在已抛光的键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝复合薄膜或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在处理后的厚膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，即可实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合，从而改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性。

2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于所述贵金属抛光液的磨粒硬度在5GPa～50GPa范围内，粒子直径≤100nm。

3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于所述铝薄膜、或镍-铬-铝复合薄膜或铬-铜-铝复合薄膜的厚度控制在1～5μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述机械掩模是采用光刻、选择性腐蚀或激光刻蚀的方法，将键合区图形转移到不锈钢金属片或坡镆合金金属片上而制成的。