[发明专利]阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个位于基板上的像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：

薄膜晶体管驱动层；

比所述薄膜晶体管驱动层更远离基板并受薄膜晶体管驱动层驱动的有机发光二极管，在远离基板的方向上有机发光二极管依次包括第一电极、发光层、第二电极；其中，第一电极为反射层或第一电极透明且其下侧设有反射层，而第二电极为半反半透层或第二电极透明且其上侧设有半反半透层；所述反射层的反射面上具有用于使光产生漫反射的凹凸结构或波浪结构，且所述反射层与半反半透层构成微腔结构；

比所述有机发光二极管更远离基板的彩膜。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述发光层为用于发出白光的发光层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述用于发出白光的发光层包括：

交叠的发红光的有机电致发光材料层、发绿光的有机电致发光材料层、发蓝光的有机电致发光材料层；

或

由发红光的有机电致发光材料、发绿光的有机电致发光材料、发蓝光的有机电致发光材料混合成的有机电致发光材料层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设于所述反射层与薄膜晶体管驱动层间的树脂层，所述树脂层与反射层相接触的面上具有凹凸结构或波浪结构。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述树脂层中设有过孔，所述第一电极通过所述过孔与薄膜晶体管驱动层电连接，所述过孔处设有位于第一电极与发光层之间的绝缘的像素限定层。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述树脂层的厚度在之间。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管驱动层包括扫描线、数据线、电源电压线、多组薄膜晶体管，每组薄膜晶体管用于驱动一个像素单元中的有机发光二极管；

其中，每组薄膜晶体管包括一个开关薄膜晶体管和一个驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线，漏极连接驱动薄膜晶体管的栅极；驱动薄膜晶体管的源极连接电源电压线，漏极连接有机发光二极管的第一电极。

8.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述反射层由银、铝、钼、铜、钛、铬中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成，且反射率在80~100%之间，厚度在之间。

9.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述半反半透层由银、铝、钼、铜、钛、铬中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成，且透过率在5~95%之间，厚度在之间。

10.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述彩膜厚度在之间。

11.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜包括：

红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜；

或

红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜、白色彩膜；

或

红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜、黄色彩膜。

12.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一电极为有机发光二极管的阴极，所述第二电极为有机发光二极管的阳极；

或

所述第一电极为有机发光二极管的阳极，所述第二电极为有机发光二极管的阴极。

13.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括薄膜晶体管驱动层的图形；

在完成前述步骤的基板上形成树脂层的图形，并在所述树脂层上形成凹凸结构或波浪结构；

在完成前述步骤的基板上形成包括有机发光二极管的图形；其中，所述有机发光二极管的靠近基板的电极为反射层，或所述有机发光二极管的靠近基板的电极透明且其下侧还要形成反射层；所述有机发光二极管的远离基板的电极为半反半透层，或所述有机发光二极管的远离基板的电极透明且其上侧还要形成半反半透层；所述反射层的反射面上具有用于使光产生漫反射的凹凸结构或波浪结构；

在完成前述步骤的基板上形成包括彩膜的图形。