[发明专利]发光二极管的制作方法无效

专利信息
申请号: 201210537450.5 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN103681982A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 陈彦玮;余国辉;王建钧 申请(专利权)人: 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/46;H01L21/683;H01L21/268
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制作方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的制作方法,包括:

提供一外延基板,该外延基板具有第一表面与第二表面,其中该第一表面与该第二表面分别位于该外延基板的相反侧;

形成一外延结构于该外延基板的该第一表面上,其中该外延结构具有第一半导体层及第二半导体层;

形成一沟槽于该外延结构上,其中该沟槽暴露出该第一半导体层;

提供一固定基板设置于该外延结构及该第一半导体层上;

提供一能量由该外延基板的该第二表面进入该外延基板,并聚焦于该第一表面及该第二表面之间;

形成一反射层于该外延基板的该第二表面上;以及

移除该固定基板,并进行管芯劈裂,以形成多个发光二极管管芯。

2.如权利要求1所述的制作方法,其中该外延结构还具有有源层,该有源层夹置于该第一半导体层及该第二半导体层之间。

3.如权利要求1所述的制作方法,其中该固定基板包含胶带、蜡、光致抗蚀剂材料或硬性基板,或其组合。

4.如权利要求1所述的制作方法,其中通过该沟槽定义单颗的发光二极管管芯。

5.如权利要求1所述的制作方法,其中该能量由一激光光照射所产生。

6.如权利要求1所述的制作方法,其中该能量的照射位置与该沟槽对应。

7.如权利要求1所述的制作方法,其中该能量破坏该外延基板的内部结构。

8.如权利要求1所述的制作方法,其中该反射层经过蒸镀或溅镀制作工艺,以形成于该外延基板的该第二表面上。

9.如权利要求1所述的制作方法,其中该反射层为单层结构或多层结构。

10.如权利要求1所述的制作方法,其中该反射层的材质包含银、铝、金、钛、铬、镍、铟锡氧化物,或其组合。

11.如权利要求2所述的制作方法,还包括:

在该外延结构的该第二半导体层上形成一电流阻障层。

12.如权利要求1所述的制作方法,还包括:

形成一第一电极于该外延结构之上;及

形成一第二电极于该第一半导体层之上。

13.如权利要求12所述的制作方法,还包括:

形成一保护层于该外延结构上,其中该保护层露出该第一电极及该第二电极。

14.如权利要求1所述的制作方法,还包括:

减薄该外延基板。

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