[发明专利]等离子体增强化学气相沉积设备有效
申请号: | 201210537698.1 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103866281A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 郑友山;杨斌 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 设备 | ||
1.一种等离子体增强化学气相沉积设备,包括上电极板、下电极板、射频盖和扩散板;所述上电极板通过所述射频盖与射频电源连通,所述下电极板接地;所述射频盖上设有进气管,所述射频盖与所述上电极板连接形成匀流腔;所述上电极板开设有若干通孔,所述上电极板下方为反应腔,所述下电极板位于所述反应腔中;其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积设备,还包括驱动器;
所述扩散板位于所述进气管下方,且与所述驱动器相连,所述驱动器带动所述扩散板相对所述射频盖上下移动。
2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述设备,还包括罩在所述射频盖上方的屏蔽罩,所述驱动器设置于所述屏蔽罩外。
3.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述扩散板上固连有升降轴,所述驱动器的运动轴通过联轴器与所述升降轴联接。
4.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述进气管的上半段包含有波纹管,所述升降轴贯穿于所述进气管中;
所述进气管侧面设有进气孔,所述进气管的上端与所述升降轴通过焊接密封。
5.根据权利要求1至4任一项所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述进气管下端与所述射频盖之间通过密封圈或者金属密封圈密封。
6.根据权利要求1至4任一项所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述扩散板呈圆形平板状、椭圆形平板状、圆锥状或椭圆锥状。
7.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述扩散板上开设有若干透气孔。
8.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述驱动器为直线电机、丝杠机或气缸。
9.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述下电极板下端固连有主轴,所述下电极板通过所述主轴接地,所述主轴可带动所述下电极板上下移动。
10.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,所述上电极板开设有若干通孔,工艺气体通过所述通孔流至所述反应腔。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的