[发明专利]Te/TeO2-SiO2复合薄膜作为光限幅材料的应用有效

专利信息
申请号: 201210537982.9 申请日: 2012-12-13
公开(公告)号: CN102976628A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 辜敏;甘平;鲜晓东;鲜学福 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 霍本俊
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: te teo sub sio 复合 薄膜 作为 限幅 材料 应用
【说明书】:

技术领域

 本发明涉及Te/TeO2-SiO2复合薄膜的用途,特别涉及Te/TeO2-SiO2复合薄膜作为光限幅材料的应用。

背景技术

在激光技术十分发达和激光武器日趋成熟的时代,激光在工业加工、通信技术、军用领域等方面得到广泛的应用,同时激光对军用和民用光学设施及人类的眼睛已构成了潜在的威胁,激光不可避免地会对使用者和光学元件造成伤害和损害。当人们意识到问题的严重性后便开始研究激光防护技术,虽然国内外学者研发了各种各样的光学保护方法,但相对而言,光限幅器具有广谱抗变波长激光的能力,易于加工、响应时间快、能有效降低入射能量且不影响仪器的探测或图像处理与传输等诸多优势,成为极具实际应用价值的激光防护器,也成为激光防护器件和光学限幅器研究发展的重点。

光限幅是指当激光入射到光限幅材料时,输入光能量较弱时,输出光能量与输入光能量呈线性关系,当输入光能量达到一定阈值时,输出光能量不再随输入光能量线性增加,而输出能量变缓或不再增加,其输出光能量将保持为常数。

自1965年J. P. Gordon等人首次提出光限幅的概念以来,光限幅理论研究和光限幅材料的发现成为研究的重点。在20世纪90年代以前,光限幅材料研究以半导体材料为主体,在上世纪90年代以后,光限幅材料研究变为含大的π共轭体系的有机物为主体,其中无机光限幅材料具有物理和化学稳定性好、抗老化、易加工、限幅器件结构简单等特点。B.L.Justus等人对半导体纳米粒子的光限幅效应开展研究;L.Tutt等人对含π共轭体系的有机物开展了光限幅效应研究,发现富勒烯(C60、C70、C84等材料)具有明显的光限幅特性,为光限幅研究领域注入新鲜血液。但是碲基材料的光限幅效应研究国内外报道还是很少,印度学者C.S. Suchand Sandeep等人对Te和Ag2Te纳米线的光限幅性质开展了研究,发现Ag2Te纳米线的限幅效果明显高于Te纳米线;国内学者李玉琼等人对ZnO-Nb2O5-TeO2:Er2O3材料的光限幅特性进行了研究,采用传统的混合退火方法制备掺Er3+玻璃材料,采用532nm的皮秒激光器测量不同入射功率下出射功率的变化情况,发现入射功率较低时出射功率和入射功率近似为线性关系,但是当入射功率达到1.2mW阈值时,出射功率不再随入射功率的增加而增加,出射功率趋向于一个阈值范围。

从上述的国内外研究进展和文献报道可知,尽管对碲基材料的光限幅特性研究已有个别的报道,但是对碲基复合薄膜的光限幅特性鲜有研究报道。专利号为201010162549.2的中国专利公开了一种三阶非线性光学性碲基复合薄膜及其制备方法,该碲基复合薄膜为SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te形成的Te/TeO2-SiO2复合薄膜结构,其制备方法为:对TeO2-SiO2透明复合溶胶进行电化学诱导生成复合薄膜,或者TeO2-SiO2透明复合溶胶经干燥、磨粉、热处理以及真空镀膜等步骤得到复合薄膜;Te/TeO2-SiO2复合薄膜已知的用途是用于光开关器件、声光器件和光放大器等光电子器件。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种Te/TeO2-SiO2复合薄膜的新用途。

本发明公开了Te/TeO2-SiO2复合薄膜作为光限幅材料的应用。

进一步,所述Te/TeO2-SiO2复合薄膜为SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te的复合薄膜。

进一步,所述Te/TeO2-SiO2复合薄膜为TeO2-SiO2透明复合溶胶在-0.1~-1.5V下进行恒电位电化学诱导生成的复合薄膜。

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