[发明专利]一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法

权利要求书

1.一种隧穿型逆导IGBT，包括P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层、P⁺集电极，其特征在于，在所述P⁺集电极和N⁺缓冲层内引入N⁺⁺区，在所述P⁺集电极内于所述N⁺⁺区底部引入P⁺⁺区，所述P⁺⁺区与所述N⁺⁺区底部接触，使得所述P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层和N⁺⁺区构成逆导通道，所述N⁺⁺区和P⁺⁺区形成隧道结，所述隧道结的掺杂浓度为10¹⁹/cm³～10²⁰/cm³。

2.根据权利要求1所述的隧穿型逆导IGBT，其特征在于，所述掺杂浓度为5×10¹⁹/cm³。

3.根据权利要求1或2所述的隧穿型逆导IGBT，其特征在于，所述隧穿型逆导IGBT的PN结为突变结。

4.一种权利要求1中任一所述的隧穿型逆导IGBT的制造方法包括以下步骤：

在IGBT的P⁺集电极和N⁺缓冲层内注入的N型杂质，

激活所述N型杂质，使之形成N⁺⁺区，

在所述P⁺集电极内加入含有P型掺杂剂的合金，所述P型掺杂剂的合金与所述N⁺⁺区的底部接触，

使所述P型掺杂剂的合金融化，使所述P型掺杂剂从所述合金中扩散出来形成P⁺⁺区，

其中，

所述N⁺⁺区和P⁺⁺区形成隧道结，所述隧道结的掺杂浓度为10¹⁹/cm³～10²⁰/cm³。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述P型掺杂剂的合金融化温度为500℃，融化时间为1min。