[发明专利]一种通过超高温陶瓷粉基体改性制备超高温陶瓷基复合材料的方法

权利要求书

1.一种通过超高温陶瓷粉基体改性制备超高温陶瓷基复合材料的方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：将开气孔率为30vol%-40vol%的C/SiC复合材料预制体用超声波清洗至少30分钟，烘箱中120℃-150℃烘干；

步骤2：将UHTC粉加入到质量分数为0.5%-1%的纤维素钠CMC水溶液中球磨24~48小时以上制备得到浆料A；将碳有机前驱体和六次甲基四胺按质量比10:1溶解在无水乙醇中制备得到浆料B；调整无水乙醇或者水溶液的含量控制浆料的粘度在40-80mPa·s，调节PH值大于11以控制浆料的分散性；

步骤3：将步骤1得到的C/SiC预制体先真空浸渍浆料A约30分钟，然后通过惰性气体加压到0.8MPa浸渍浆料A分钟并干燥，重复浸渍并干燥3-4次；最后浸渍浆料B，从而引入一定量UHTC粉和碳有机前驱体到C/SiC预制体中

步骤4：固化裂解：将步骤3制备的材料在烘箱中依次在80℃、150℃保温2小时，然后氩气保护下900℃-1800℃热处理2小时得到C/SiC-UHTC-C；

步骤5：将步骤4制备的C/SiC-UHTC-C通过反应熔体渗透法在高温真空炉中熔融渗硅制备出C/SiC-UHTC复合材料，其中渗硅温度为1420℃-1700℃，渗硅时间为1-3h。

2.根据权利要求1所述通过超高温陶瓷粉基体改性制备超高温陶瓷基复合材料的方法，其特征在于：使用的浆料浸渍原料为超高温陶瓷，如ZrB₂、ZrC、HfC、HfB₂粉末。

3.根据权利要求2所述通过超高温陶瓷粉基体改性制备超高温陶瓷基复合材料的方法，其特征在于：所述粉末粒径小于2um。

4.根据权利要求1所述通过超高温陶瓷粉基体改性制备超高温陶瓷基复合材料的方法，其特征在于：所述碳有机前驱体为碳有机前驱体，如酚醛树脂、呋喃树脂、硅烷树脂。