[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：形成包括栅极、有源层和源漏极层的图形，以及形成包括栅极绝缘层和刻蚀阻挡层的图形；所述栅极绝缘层位于所述栅极和有源层之间，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层和源漏极层之间，其特征在于，

所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者

所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成；

其中，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为至少两层绝缘层时，距离所述有源层最近的一层在150℃-200℃的温度条件下制作而成，其余的绝缘层在300℃-400℃的温度条件下制作而成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为至少两层绝缘层时，距离有源层最近的一层绝缘层由氧化硅材料制作而成，其余一层绝缘层由氧化硅、氮化硅，和氮氧化硅中的其中一种材料制作而成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在形成有所述各膜层的薄膜晶体管的基板上形成包括钝化层的图形；所述钝化层由至少两层绝缘层制作而成；其中，距离有源层最近的一层在150℃-200℃的温度条件下制作而成，其余的绝缘层在300℃-400℃的温度条件下制作而成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由两层绝缘层制作而成，形成所述刻蚀阻挡层图形，具体为：

在形成有栅极、栅极绝缘层、有源层的基板上，在150℃-200℃的温度条件下，沉积第一绝缘层；在形成有第一绝缘层的基板上，在300℃-400℃的温度条件下，沉积第二绝缘层；同时对所述第一绝缘层和第二绝缘层进行曝光、显影、光刻和刻蚀工艺，形成包括刻蚀阻挡层的图形；或者

所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由两层绝缘层制作而成，形成所述栅极绝缘层图形，具体为：

在形成有源漏极层、刻蚀阻挡层和有源层的基板上，在150℃-200℃的温度条件下，沉积第一绝缘层；在形成有第一绝缘层的基板上，在300℃-400℃的温度条件下，沉积第二绝缘层；同时对所述第一绝缘层和第二绝缘层进行曝光、显影、光刻和刻蚀工艺，形成包括栅极绝缘层的图形。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成包括所述钝化层图形，具体为：

在形成有栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极层的基板上，在150℃-200℃的温度条件下，沉积第一绝缘层；在形成有第一绝缘层的基板上，在300℃-400℃的温度条件下，沉积第二绝缘层；同时对所述第一绝缘层和第二绝缘层进行曝光、显影、光刻和刻蚀工艺，形成包括钝化层的图形。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法或射频反应溅射法在基板上沉积所述第一绝缘层；

采用化学气相沉积法或射频反应溅射法在基板上沉积所述第二绝缘层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述栅极绝缘层、刻蚀阻挡层和钝化层中至少之一之前，所述方法还包括：对待形成所述栅极绝缘层、刻蚀阻挡层或钝化层的基板，在100℃-200℃的温度条件下进行预热处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源层采用铟镓锌氧化物制作而成。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板、形成在所述基板上的栅极、有源层和源漏极层；以及

形成在所述基板上位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层和位于所述有源层和源漏极层之间的刻蚀阻挡层；

所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者

所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成；

其中，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为至少两层绝缘层时，距离有源层最近的一层绝缘层的致密度低于其余绝缘层的致密度。