[发明专利]利用并联高压MOS管控制的LED驱动电路有效
申请号: | 201210540481.6 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103025018A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 来新泉;韩杰;邵丽丽;何惠森 | 申请(专利权)人: | 西安吉成光电有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华 |
地址: | 710068 陕西省西安市南二*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 并联 高压 mos 控制 led 驱动 电路 | ||
1.一种利用并联高压MOS管控制的LED驱动电路,包括:
整流桥,用于对交流信号进行全波整流,并将整流后的电压信号Vin输入到N串负载Z1~ZN,N≥1;
N串负载Z1~ZN,单组串联连接,用于构成可变负载网络;
其特征在于:还包括:
N个高压MOS管M1~MN,用于控制接入电路的负载大小;每个高压MOS管的源极相连,并连接到控制电路;每个高压MOS管栅极分别与N个电压基准相连;第一个高压MOS管M1的漏极连接到第一串负载Z1与第二串负载Z2的公共端;第二个高压MOS管M2的漏极连接到第二串负载Z2与第三串负载Z3的公共端;依此类推,第N-1个高压MOS管MN-1的漏极连接到第N-1串负载ZN-1与第N串负载ZN的公共端;第N个高压MOS管MN的漏极连接到第N串负载ZN;
N个电压基准电路,用于产生N个偏置电压V1~VN,并设定偏置电压V1<V2<…<VN;
控制电路,通过检测负载电流I调节高压MOS管M1~MN的源极电压,从而控制高压MOS管M1~MN的工作状态。
2.根据权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于:所述N串负载Z1~ZN,其中每串负载均由L个发光二级管LED串联构成,L×N<100。
3.根据权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于:所述控制电路采用电阻或二极管连接的MOS管或二极管连接的三极管实现。
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