[发明专利]触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201210540574.9 申请日: 2012-12-13
公开(公告)号: CN103034365A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 杨盛际 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 电路 结构 及其 驱动 方法 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示器制造领域,尤其涉及一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching,简称为ADS,高级超维场开关)技术显示凭借其宽广的视角、更高的对比率、更高的分辨率及更明亮的颜色呈现,逐渐被消费者所追捧。在ADS模式下,通过同一层平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及不同层的狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。对in cell touch(像素单元内部触控)技术关注将越来越大,目前大部分厂家对于触控技术的实现还是在显示显示装置的出光侧设置一层用于触控的电容薄膜、有少部分厂家在ADS显示模组上使用in cell touch技术,并已经成功量产,但是发明人发现在现有技术中,存在产品制程工艺繁琐,且制成品开口率较低的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置,能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,节约成本,同时能够提高产品开口率增加附加值。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一方面,提供一种触控显示电路结构,包括触控单元和显示单元;与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线;与所述显示单元连接的栅线和数据线;

其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管;

所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线,所述第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线;

所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极;

所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极,所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线;

所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线,所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极,所述第二开关晶体管的漏极连接所述检测信号线;

所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线,所述第一电容的第二极连接所述触控电极。

可选的,所述显示单元包括:

第三开关晶体管及第二电容;

其中所述第三开关晶体管的栅极连接所述栅线,所述第三晶体管的源极连接所述数据线;

所述第二电容的第一极连接所述第三开关晶体管的漏极,所述第二电容的第二极连接接地端。

可选的,所述第一电容的第一极为与所述显示单元的像素电极同层的透明导电材料;所述第一电容的第二极为与所述显示单元的公共电极同层的透明导电材料。

可选的,所述第三开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”。

可选的,所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”;

所述放大晶体管为“P”型晶体管。

一方面,提供一种触控显示电路结构的驱动方法,包括:

第一阶段,第一开关晶体管、第二开关晶体管和放大晶体管截止,栅线输入扫描信号、本极数据线输入控制信号控制所述显示单元处于显示状态;

第二阶段,所述第一开关晶体管导通,所述第二开关晶体管和所述放大晶体管截止,所述数据线输入重置信号为第一电容的第二极充电,所述栅线输入扫描信号关闭所述显示单元;

第三阶段,所述第一开关晶体管截止,所述第二开关晶体管导通,第二扫描线提供耦合脉冲信号,当触控电极受到触摸时,所述第一电容的第二极放电直至所述放大晶体管的栅极和源极的电压差等于所述放大晶体管的阈值电压,所述放大晶体管导通并处于放大状态将所述第二扫描线提供耦合脉冲信号放大输出至检测信号线。

可选的,还包括:

所述第一阶段,所述第三开关晶体管导通;

所述第二阶段和所述第三阶段所述第三开关晶体管截止。

一方面,提供一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的至少一个像素单元包括上述任一触控显示电路结构。

可选的,所述检测信号线为所述阵列基板上的一条数据线,包含所述触控显示电路结构的本级像素单元处于所述检测信号线与所述本级像素单元的数据线之间,所述检测信号线为所述本级像素单元的前一级像素单元提供显示驱动信号。

一方面,提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。

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