[发明专利]一种SiC晶须的制备方法无效
| 申请号： | 201210540660.X | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102978706A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 崔曦文;柏杉;洪艳萍;闵庆峰;蒋明学 | 申请（专利权）人： | 中冶焦耐工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/10 |
| 代理公司： | 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 | 代理人： | 张群 |
| 地址： | 116085 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si=（7.5～8）：1，Si/Al=（4～6）：1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。
2.根据权利要求1所述的一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，将埃肯硅微粉和Na3AlF6混合后放入石墨坩埚内，用石墨盖盖好后，放入真空碳管炉内，抽真空至10～12Pa，充入氩气进行洗气再抽真空，最后充入氩气保持石墨坩埚内压力高于外界0.02～0.03Mpa，升温速率为10～12℃/分钟，在1300℃～1500℃之间保温1～3小时，至SiC晶须表面光滑、长径比达60～200时合成结束，随炉冷却至室温，除去产物中过量未反应的SiO2和C即可。
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