[发明专利]共享电压产生电路无效
申请号: | 201210540781.4 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103869859A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 高振球;刘增群 | 申请(专利权)人: | 硕颉科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共享 电压 产生 电路 | ||
1.一种共享电压产生电路,其特征在于,包括:
一信号缓冲单元,操作在一可调电压与一接地电平下,用以接收一交流输入共享电压,并缓冲输出该交流输入共享电压,其中该交流输入共享电压的高电平小于该可调电压;
一交流共享电压产生单元,耦接该信号缓冲单元,并且操作在该可调电压与该接地电平下,用以反应于该信号缓冲单元的输出而产生并输出一交流输出共享电压,其中该交流输出共享电压的高电平等于该可调电压;以及
一振幅调整单元,耦接该信号缓冲单元与该交流共享电压产生单元,并且操作在高于该可调电压的一系统高压与该接地电平下,用以反应于一阻值调整操作而对该系统高压进行一分压处理,以提供该可调电压给该信号缓冲单元与该交流共享电压产生单元。
2.如权利要求1所述的共享电压产生电路,更包括:
一偏压调整单元,耦接该共享电压产生单元,并且操作在该系统高压与该接地电平下,用以反应于该阻值调整操作而对该交流输出共享电压的一直流偏压进行调整。
3.如权利要求2所述的共享电压产生电路,其中该信号缓冲单元包括:
一NPN型双载子结晶体管,其基极用以接收该交流输入共享电压,其集极用以接收该可调电压,而其射极则作为该信号缓冲单元的输出;以及
一PNP型双载子结晶体管,其基极用以接收该交流输入共享电压,其射极耦接该NPN型双载子结晶体管的射极,而其集极则耦接至该接地电平。
4.如权利要求3所述的共享电压产生电路,其中该交流共享电压产生单元包括:
一PMOS晶体管,其源极用以接收该可调电压,其栅极耦接该信号缓冲单元的输出,而其漏极则用以输出该交流输出共享电压;以及
一NMOS晶体管,其栅极耦接该PMOS晶体管的栅极,其漏极耦接该PMOS晶体管的漏极,而其源极则耦接至该接地电平。
5.如权利要求4所述的共享电压产生电路,其中该振幅调整单元包括:
一第一电阻,其第一端用以接收该系统高压,而其第二端则用以提供该可调电压;
一第一预备电阻,耦接于该第一电阻的第二端与该接地电平之间;以及
一第一可变电阻,其第一端与调整端耦接该第一电阻的第二端,而其第二端则耦接至该接地电平。
6.如权利要求5所述的共享电压产生电路,其中该偏压调整单元包括:
一第二可变电阻,其第一端与调整端用以接收该系统高压;
一第二电阻,耦接于该第二可变电阻的第二端与该接地电平之间;以及
一第三电阻,其第一端耦接该第二可变电阻的第二端,而其第二端则耦接该PMOS晶体管与该NMOS晶体管的漏极。
7.如权利要求6所述的共享电压产生电路,更包括:
一第一电容,耦接于该PMOS晶体管与该NMOS晶体管的漏极与该第三电阻的第二端之间。
8.如权利要求7所述的共享电压产生电路,更包括:
一第二电容,耦接于该PMOS晶体管的源极与该接地电平之间。
9.如权利要求2所述的共享电压产生电路,其中该交流输出共享电压至少适于提供至一液晶显示面板。
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