[发明专利]一种基于基本模块的掩模主体图形优化方法有效

专利信息
申请号: 201210540937.9 申请日: 2012-12-13
公开(公告)号: CN102998896A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 马旭;李艳秋;宋之洋 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 李爱英;杨志兵
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 基本 模块 主体 图形 优化 方法
【权利要求书】:

1.一种基于基本模块的掩模主体图形优化方法,具体步骤为:

步骤101、初始化大小为N×N的目标图形将目标函数F构造为目标图形与当前掩模主体图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方,即其中为目标图形的像素值,Z(m,n)表示利用Abbe矢量成像模型计算当前掩模主体图形对应的光刻胶中成像的像素值;

步骤102、将N×N的连续系数矩阵Θ初始化为:

其中表示基本模块,其像素值为0或1,其图形可以为任意单边尺寸大于阈值εM的多边形,Θ(m,n)、W(m,n)和分别为Θ、W和的像素值,符号表示卷积;计算目标函数F相对于Θ的梯度矩阵并将N×N的优化方向矩阵P初始化为:

步骤103、采用共轭梯度法对系数矩阵Θ的像素值进行迭代更新,并在每次迭代中将Θ的所有像素值限定在[0,1]范围内,其中大于1的像素值设定为1,小于0的像素值设定为0,介于[0,1]范围内的像素值保持不变;

步骤104、计算二元系数矩阵Θb=Γ{Θ-0.5},其中将N×N的二元掩模主体图形Mb构造为计算二元掩模主体图形Mb中的多边形个数,如果当前计算出的多边形个数和上次循环相比没有变化,则进入步骤106,否则进入步骤105;

步骤105、将连续系数矩阵Θ的值恢复为本次循环进入步骤103之前的值,并采用改进的共轭梯度法和循环方式对对应于掩模图形边缘的系数矩阵Θ的像素值进行迭代更新,直至当前掩模图形的边缘不再变化为止;且每次迭代中将矩阵Θ的所有像素值限定在[0,1]范围内,其中大于1的像素值设定为1,小于0的像素值设定为0,介于[0,1]范围内的像素值保持不变;

步骤106、计算当前二元掩模主体图形Mb对应的目标函数值F;当F小于预定阈值εΘ或者更新连续系数矩阵Θ的次数达到预定上限值时,进入步骤107,否则返回步骤103;

步骤107、终止优化,并将当前二元掩模主体图形Mb确定为经过优化后的掩模主体图形。

2.根据权利要求1所述基于基本模块的掩模主体图形优化方法,其特征在于,所述步骤101中利用Abbe矢量成像模型计算当前掩模主体图形对应的光刻胶中成像的具体步骤为:

步骤201、将掩模主体图形M栅格化为N×N个子区域;

步骤202、根据部分相干光源的形状将光源面栅格化成多个点光源,用每一栅格区域中心点坐标(xs,ys)表示该栅格区域所对应的点光源坐标;

步骤203、针对单个点光源,利用其坐标(xs,ys)获取该点光源照明时对应晶片位置上的空气中成像I(αs,βs);

步骤204、判断是否已经计算出所有点光源对应晶片位置上的空气中成像,若是,则进入步骤205,否则返回步骤203;

步骤205、根据阿贝Abbe方法,对各点光源对应的空气中成像I(αs,βs)进行叠加,获取部分相干光源照明时,晶片位置上的空气中成像I;

步骤206、基于光刻胶近似模型,根据空气中成像I计算掩模主体图形对应的光刻胶中的成像。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学,未经北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210540937.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top