[发明专利]增大蓝相液晶显示器透过率的装置

说明书

技术领域

本发明设计的是一种液晶显示技术领域的装置，具体是一种增大蓝相液晶(BPLC)显示器透过率的装置。

背景技术

蓝相液晶显示器具有毫秒以下的响应时间、视角宽和对比度高的特点，并且在制作过程中不需要取向层，也不需要对液晶层厚度做很严格的限制，制作成本低，制造工艺更简单，从而被认为最有潜力成为下一代液晶显示器。

传统蓝相液晶显示器是以共面转换液晶显示器的驱动电极形式来进行驱动的，也制作存储电容来获得高的电压保持率。但是，由于在电极上方的蓝相液晶处于垂面的电场或者稍稍倾斜的电场作用下，所表现出来的光学透过率很小，并且在制作存储电容的区域也没有光的透过，因此，蓝相液晶显示器的整体透过率较低。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺点，提供一种简单有效的提高光利用率的装置。本发明引入带细缝结构的Pixel电极及其下方的Common电极，通过调整细缝的宽度和条数，使其在细缝边缘产生边缘场，有效的提高蓝相液晶显示器的光利用率，因为Pixel电极与Common电极构成存储电容，减少单独制作存储电容的部分，增大了液晶显示器的实际开口率。

本发明的技术方案为：

一种增大蓝相液晶显示器透过率的装置，其结构包括：上偏振片、上基板、中间部分、下基板和下偏振片；

其位置按照入射光线通过顺序由下至上依次为下偏振片、下基板、中间部分、上基板和上偏振片；中间部分的组成为蓝相液晶(BPLC)、第一Pixel电极、第二Pixel电极，绝缘层和Common电极；

其中上基板与下基板之间的中间部分的分布方式为：下基板的上表面上均匀间隔分布Common电极，Common电极和下基板上覆盖一层绝缘层，并作压平处理，间隔分布的Common电极的正上方的绝缘层上面，间隔的加有第一Pixel电极或第二Pixel电极，第一Pixel电极或第二Pixel电极存在细缝；第一Pixel电极与第二Pixel电极加极性相反电势，蓝相液晶填充在上基板和下基板之间的空隙处；

所述的第一Pixel电极或第二Pixel电极存的细缝为1～10条，宽度为2～15μm

Common电极7为条状电极，等间距分布；

所述的细缝是通过刻蚀ITO电极得到，细缝的宽度范围可根据Pixel电极大小与工艺进行调整。

所述的Pixel电极和Common电极的电极厚度范围是：20nm-250nm。

所述Common电极之间的间距为：20μm≥L≥2μm。

所述的绝缘层材料为氮化硅或者二氧化硅材料，厚度为100nm。

所述的基板为薄膜晶体管液晶显示器所使用的玻璃基板。

所述的偏振片为薄膜晶体管液晶显示器所使用的偏振片，型号为G1220DU，其方位角度为正负45度（与电极长边之间的夹角）。

所述的蓝相液晶的科尔常数K=12.68nmV^-2，光波长λ=550nm。

与现有技术对比，本发明的有益效果是：通过引入细缝结构和底面Common电极，通过Pixel电极与Common电极形成的边缘场，有效地增加电极上方的光透过率，从而有效的增加了蓝相液晶显示器的光利用率。同时，可以将Pixel电极与其下方的Common电极作为存储电容使用，减少单独存储电容的制作，提高了蓝相液晶显示器的实际开口率。

通过以下参考附图的详细说明，本发明的其他方面和特征变得明显。但是应该知道，该附图仅仅是为了解释的目的设计，而不是作为本发明涉及范围的设定，这是因为其是作为参考而给出的。

附图说明

下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明，其中：

图1是实施例1的结构示意图，（a）为下基板内表面的俯视图，（b）为剖面图；

图2是实施例1的V-T曲线图，点线为现有的IPS结构，方块线为本实施例结构；

图3是实施例2的结构示意图，（a）为下基板内表面的俯视图，（b）为剖面图；

图4是实施例2的V-T曲线图，点线为现有的IPS结构，方块线为本实施例结构；

图5是实施例3的结构示意图，（a）为下基板内表面的俯视图，（b）为剖面图；

图6是实施例3的V-T曲线图，点线为现有的IPS结构，方块线为本实施例结构；

图7是实施例4的结构示意图，（a）为下基板内表面的俯视图，（b）为剖面图；

图8是实施例4的V-T曲线图，点线为现有的IPS结构，方块线为本实施例结构。