[发明专利]一种中红外发光晶体材料、及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201210541788.8 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103014864A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐军;蒋先涛;苏良碧;唐慧丽;范晓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00;C30B15/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光 晶体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种中红外发光晶体材料，其特征在于，所述晶体材料为Bi4Ge3O12晶体材料，所述Bi4Ge3O12晶体材料由Bi2O3和GeO2 制成。
2.一种制备权利要求1所述的中红外发光晶体材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，按照化学式Bi4Ge3O12的比例，提供Bi2O3和GeO2，制备混合粉料；
步骤2，将步骤1中得到的混合粉料熔融，然后结晶制备Bi4Ge3O12晶体。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1为：按照化学式Bi4Ge3O12的比例，提供Bi2O3和GeO2，将Bi2O3和GeO2混合后压制成块，再烧结，最后研磨制成粉料。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述烧结是把压制成块的Bi2O3和GeO2混合物烧结5~20小时，烧结温度为500~800℃。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中制备Bi4Ge3O12晶体采用坩埚下降法、提拉法或温度梯度法。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚下降法的工艺条件为：化料温度为1050~1100℃，晶体生长区域的温度梯度为20～40℃/cm，晶体生长时坩埚下降速度为1~4mm/h。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述提拉法的工艺条件为：提拉速度为1~4mm/h，转速为18~28 r/min。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述温度梯度法的工艺条件为：化料温度为1050~1100℃，晶体生长区域的温度梯度为20～40℃/cm，晶体生长时温度下降速度为1~5℃/h。
9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括切割抛光处理的后处理步骤。
10.一种权利要求1所述中红外发光晶体材料在激光二极管泵浦中的应用。
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