[发明专利]水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法无效
| 申请号： | 201210543487.9 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103014830A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周海涛;何小玲;霍汉德;张昌龙;王金亮;覃世杰;左艳彬;卢福华 | 申请（专利权）人： | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/34 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水热法 生长 闪烁 晶体 硅酸 方法 | ||
1.水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：以Bi4Si3O12作为培养料，置于黄金衬套管中，加入矿化剂，再加入占培养料3～8%重量的SiO2粉末，控制生长条件进行温差水热法生长，得到纯相的Bi4Si3O12体单晶。
2.根据权利要求1所述的水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：以Bi4Si3O12作为培养料，置于黄金衬套管中，加入矿化剂，再加入占培养料3～8%重量的SiO2粉末，控制溶解区平均温度为400～450℃，生长区平均温度为360～410℃进行温差水热法生长，得到纯相的Bi4Si3O12体单晶。
3.根据权利要求2所述的水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：以Bi4Si3O12作为培养料，置于黄金衬套管底部，在黄金衬套管中放置或不放置黄金挡板，在其顶部悬挂或不悬挂籽晶，加入矿化剂，再加入占培养料3～8%重量的SiO2粉末，之后将黄金衬套管密封，放入高压釜中，在黄金衬套管和高压釜的夹层加入一定量去离子水或蒸馏水，然后将高压釜密封；对密封后的高压釜进行加热，控制溶解区平均温度为400～450℃，生长区平均温度为360～410℃，经过生长，得到纯相的Bi4Si3O12体单晶。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：所述矿化剂的浓度为1.5～3mol/L。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：所述的矿化剂为氢氧化物溶液和/或氟化物溶液中的一种或两种以上的组合。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：生长的时间为10～30天。
7.根据权利要求3所述的水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，其特征在于：所述的籽晶为沿(211)面研磨抛光而成的片状Bi4Si3O12晶体。
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