[发明专利]PECVD设备

权利要求书

1.一种PECVD设备，其特征在于，包括：

腔体，所述腔体内具有反应腔，所述腔体上设有进气口和出气口，所述腔体的左侧壁设有第一传输口而右侧壁上设有与所述第一传输口相对的第二传输口；

晶片托架，所述晶片托架包括沿前后方向间隔布置且竖直放置的多个载板，所述晶片托架在所述反应腔内沿竖向在上部位置和下部位置之间可移动；

多个射频电极，所述多个射频电极设在所述反应腔的顶部且垂直于顶面放置，所述多个射频电极沿前后方向间隔布置，且在所述晶片托架位于所述上部位置时所述多个射频电极分别对应地插入到相邻载板之间，使得工艺气体在所述载板与相邻的射频电极之间被激发成等离子体；

传输装置，所述传输装置设在所述反应腔的底部，用于通过所述第一和第二传输口将所述晶片托架传入和传出所述反应腔；和

升降装置，所述升降装置与地连接，所述升降装置用于在所述反应腔内升降所述晶片托架。

2.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述晶片托架还包括第一和第二连接件以及多个分隔块，每个所述载板的两端分别与所述第一和第二连接件相连且所述多个分隔块分别设在相邻的所述载板之间。

3.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述载板的至少一个侧面上设有用于固定晶片的固定件，所述固定件为固定块，所述固定块面对所述载板的表面上设有斜面部，所述斜面部与所述载板的表面限定出晶片定位槽。

4.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述传输装置包括多个转轴，每个所述转轴沿前后方向延伸且每个所述转轴的两端延伸出所述反应腔，所述转轴与所述腔体之间通过密封件密封。

5.根据权利要求4所述的PECVD设备，其特征在于，所述密封件为磁流体密封件。

6.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述进气口包括第一和第二进气口，所述出气口包括第一和第二出气口，所述第一和第二进气口分别设在所述腔体的顶盖的左右两端且所述第一和第二出气口分别设在所述腔体的底盖的左右两端，且所述第一和第二进气口以及所述第一和第二出气口与相邻所述载板的间隙对应。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的PECVD设备，其特征在于，还包括用于夹紧和释放所述升降装置的夹紧装置。

8.根据权利要求7所述的PECVD设备，其特征在于，所述升降装置包括升降杆，所述升降杆沿竖向设置且所述升降杆的两端分别从所述反应腔的上盖和底盖伸出。

9.根据权利要求8所述的PECVD设备，其特征在于，所述夹紧装置包括设在所述腔体外顶面上的上夹紧机构和设在所述腔体外底面上的下夹紧机构，所述上夹紧机构和所述下夹紧机构分别用于夹紧和释放所述升降杆的上端和下端。

10.根据权利要求7所述的PECVD设备，其特征在于，所述夹紧机构为波纹管结构。