[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。 

背景技术

近年来，半导体装置的小型化、布线的微细化处于不断开展的趋势中，在狭小的半导体芯片区域(在通过俯视来透视半导体芯片的情况下，为与半导体芯片重合的区域)中不得不配置更多的I/O焊盘、通孔，同时引脚密度(pin density)也在上升。进而，在BGA(Ball Grid Array)封装中，在半导体芯片区域内形成有多个端子，用于形成其他元件的区域受限，因此采用在半导体封装基板上将布线从端子引出至半导体芯片区域外侧的方法。 

在此种状况下，在个别应对半导体装置的小型化、布线的微细化的做法中，由生产线的增设、制造步骤的繁杂化等而导致生产效率降低，并且无法应对低成本化的要求。 

针对于此，为了使半导体封装体的制作低成本化，还提出了在支撑体上配置单片化的多个芯片并将其一并用树脂密封而形成封装体的方法。例如，专利文献1中采用以下方法：在形成于支撑体上的热敏性胶粘剂上排列单片化的多个芯片，以覆盖芯片和热敏性胶粘剂的方式形成塑料制的通用载体(carrier)后，通过加热来剥离埋有芯片的通用载体和热敏性胶粘剂。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：美国专利第7202107号 

发明内容

但是，在专利文献1的半导体装置的制造方法中，如上所述需要最终将热敏性胶粘剂和通用载体剥离，因此在通用载体上残留热敏性胶粘剂的残渣，或者热敏性胶粘剂的排气成分以杂质的形成残留在通用载体上而在其清洗上需要耗费时间等等，从而生产效率可能会降低。此外，专利文献1的半导体装置的制造方法中，在暂时固定芯片时使用热敏性胶粘剂之后，最终将其剥离，若能够省略这些工序，则能够进一步提高生产率，在这一点上尚有改善的余地。 

因此，本发明的目的在于，提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。 

本申请发明人等发现通过采用下述方案从而可以解决上述课题，由此完成了本发明。 

即，本发明的特征在于，其是具备半导体芯片的导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序： 

工序A，准备半导体芯片； 

工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片； 

工序C，在上述热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；以及 

工序D，在上述多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的上述保护膜而施加的压力，将上述多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层， 

其中，上述保护膜相对于水的接触角为90°以下。 

根据本发明的半导体装置的制造方法，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片之后(工序C)，将多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层(工序D)。因此，可以将上述热固化型树脂层作为密封半导体芯片的密封材。此外，由于将半导体芯片配置于热固化型树脂层上后埋入上述热固化型树脂层，因此无需用于暂时固定半导体芯片的片材。此外，无需将用于暂时固定半导体芯片的片材剥离的工序。其结果可以实现制造工序的简化、制造成本的削减。此外，由于将半导体芯片埋入热固化型树脂层，因此无需在半导体芯片粘贴和剥离暂时固定用的片材。其结果可以抑制半导体芯片的污染。 

此外，上述埋入工序D，是通过隔着在上述多个半导体芯片上配置的保护膜而施加的压力，将上述多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层的 工序，上述保护膜相对于水的接触角为90°以下。一般而言，越是疎水性的物质，表面能越小，越形成低摩擦；越是亲水性的物质，表面能越大，越形成高摩擦。根据上述构成，上述保护膜相对于水的接触角为90°以下，亲水性高，因此保护膜与半导体芯片之间的摩擦力变大，在埋入工序D中能够降低两者的差异。其结果可以抑制埋入时的半导体芯片的错位。另外，本发明中规定了保护膜对水的接触角作为保护膜表面的滑动性指标。 

此外，本发明的特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序： 

工序A，准备半导体芯片； 

工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片； 

工序D，将上述多个半导体芯片埋入上述热固化型树脂层。