[发明专利]发光二极管封装结构与其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括透明基板、LED芯片及导线支架；所述导线支架安设于所述透明基板上，所述LED芯片固定在所述透明基板上，所述LED芯片的电极与所述导线支架连接；所述透明基板为透明玻璃或透明蓝宝石基板或透明陶瓷或有机透明塑料。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透明基板的透光率大于90％。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透明基板的单面、双面或立体面均匀镀制透明高导热薄膜。

4.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透明高导热薄膜的透光率大于90％、导热系数大于等于400w/m·k。

5.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透明高导热薄膜采用钻石薄膜或类钻石薄膜或类钻碳薄膜。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述导线支架包括负极支架和正极支架，负极支架包括一负主导线及多个与负主导线连接的负支导线，正极支架包括一正主导线及多个与正主导线连接的正支导线；LED芯片的负电极、正电极分别对应连接负极支架的负支导线、正极支架的正支导线。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，还包括一固定在透明基板上的透明封装胶层，导线支架设有对外连接的外负极连接点和外正极连接点；透明封装胶层覆盖了LED芯片和导线支架，并露出导线支架的外负极连接点和外正极连接点。

8.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、在透明基板上的单面、双面或立体面均匀镀制上述透明高导热薄膜，所述透明基板为透明玻璃或透明蓝宝石基板或透明陶瓷或有机透明塑料；

2)、在透明基板的镀制有透明高导热薄膜的面上，设置导线支架；

3)、将LED芯片固定在透明基板上，将LED芯片的电极与导线支架连接；

4)、使用透明封装胶将LED芯片和导线支架覆盖形成透明封装胶层，露出导线支架的外正极连接点和外负极连接点。

9.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述透明高导热薄膜采用钻石薄膜或类钻石薄膜或类钻碳薄膜。

10.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述导线支架包括负极支架和正极支架，负极支架包括一负主导线及多个与负主导线连接的负支导线，正极支架包括一正主导线及多个与正主导线连接的正支导线；LED芯片的负电极、正电极分别对应连接负极支架的负支导线、正极支架的正支导线。