[发明专利]在二次谐波检测模式下使用磁阻传感器感测弱磁场的方法有效

专利信息
申请号: 201210544108.8 申请日: 2012-11-02
公开(公告)号: CN103149542A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: B·B·潘特 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 谢攀;李浩
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 二次 谐波 检测 模式 使用 磁阻 传感器 感测弱 磁场 方法
【权利要求书】:

1.一种测量磁场(450)的方法,该方法包括:

施加交变驱动电流(430)至覆盖磁阻传感器(10)的驱动带(70)以使磁阻传感器的工作点移动到低噪声区,其中通过交变驱动电流在磁阻传感器内产生交变磁驱动场(440);

当待测磁场叠加在磁阻传感器内的交变磁驱动场上时,提取磁阻传感器的输出的二次谐波分量,其中待测磁场与所提取的二次谐波分量的带符号幅值成比例。

2.根据权利要求1的方法,进一步包括施加偏移电流(435)至偏移带(80),所述偏移带(80)覆盖驱动带(70)或者位于驱动带(70)下,并且垂直于驱动带,其中偏移带在磁阻传感器内产生垂直于待测磁场(450)的偏移磁场(445)。

3.根据权利要求1或2的方法,进一步包括施加归零电流(415)至驱动带(70)以在磁阻传感器(10)内产生归零磁场(425),所述归零磁场与待测磁场(450)平行且反向。

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