[发明专利]一种半导体离子注入均匀性的改善方法无效
| 申请号： | 201210544205.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871813A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 窦伟;邹志超;李超波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 离子 注入 均匀 改善 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体离子注入均匀性的改善方法，其特征在于，包含：
对硅基片进行预非晶化；
对所述硅基片进行离子注入，其中，所述硅基片的部分表面与离子注入的方向成锐角或钝角；
修复所述硅基片在预非晶化时形成的晶格损伤。
2.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述硅基片包含FinFet。
3.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述预非晶化的方法包含利用氦离子或氢离子对所述硅基片进行离子注入。
4.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述对硅基片进行离子注入的方法包含等离子体浸没离子注入。
5.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，
所述对硅基片进行离子注入的离子包含磷离子或硼离子。
6.如权利要求5所述的改善方法，其特征在于，在用所述磷离子或硼离子对硅基片进行离子注入的同时，等离子中包含载气离子。
7.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述修复的方法包含快速退火处理。
8.如权利要求7所述的改善方法，其特征在于，所述快速退火处理包含快速热退火或快速激光退火。
9.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述对硅基片进行离子注入的能量为100ev-2Kev。
10.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述离子注入的腔室为低气压腔室，其气压范围在10Pa以下。
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