[发明专利]一种超浅结均匀性的改善方法

权利要求书

1.一种超浅结均匀性的改善方法，其特征在于，包含：

将硅基片的表面进行预非晶化；

从被预非晶化的表面对所述硅基片进行离子注入；

修复所述硅基片表面由于所述预非晶化造成的晶格损伤。

2.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述预非晶化是对所述硅基片的表面进行离子注入。

3.如权利要求2所述的改善方法，其特征在于，在进行所述预非晶化离子注入时采用氦离子或氢离子。

4.如权利要求1所述的改善方法，其特征在于，对所述硅基片进行离子注入的方法包含等离子体浸没离子注入法。

5.如权利要求4所述的改善方法，其特征在于，对所述硅基片进行离子注入时注入的离子包含磷离子或硼离子。

6.如权利要求5所述的改善方法，其特征在于，在用所述磷离子或硼离子对硅基片进行离子注入时，等离子中包含载气离子。

7.如权利要求4所述的改善方法，其特征在于，对所述硅基片进行离子注入时离子注入的能量为100ev-2Kev。

8.如权利要求1到7任一项所述的改善方法，其特征在于，所述修复的方法包含采用快速退火处理。

9.如权利要求8所述的改善方法，其特征在于，所述快速退火处理包含快速热退火或快速激光退火。

10.如权利要求1到7任一项所述的改善方法，其特征在于，所述硅基片的尺寸为100mm-200mm。