[发明专利]一种含硅冰晶石的脱硅方法无效
| 申请号： | 201210544847.7 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103011222A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 旷戈;刘善军;罗文斌;郭慧;臧运凯;谢文菊 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C01F7/54 | 分类号： | C01F7/54 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冰晶石 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含硅冰晶石的脱硅方法，其特征在于：将含硅冰晶石投入到氢氟酸溶液反应槽中，搅拌反应后过滤分离，并洗涤，湿的冰晶石滤饼投入到回转窑或者电炉中进行煅烧，煅烧后冷却破碎后，获得符合国家标准要求的冰晶石产品。
2.根据权利要求1所述的含硅冰晶石的脱硅方法，其特征在于：所述的含硅冰晶石是一种不符合电解铝使用要求的冰晶石，其中的SiO2含量≥0.36%，所含的硅是以二氧化硅、氟硅酸盐或单质硅形态存在。
3.根据权利要求1所述的含硅冰晶石的脱硅方法，其特征在于：反应槽内的氢氟酸溶液的浓度为HF≥3wt%，反应时间为0.5-3小时，反应温度为常温-80℃。
4.根据权利要求1所述的含硅冰晶石的脱硅方法，其特征在于：煅烧温度为500-650℃，煅烧时间为1-5小时，煅烧后经冷却破碎后，获得SiO2含量≤0.36%的冰晶石。
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