[发明专利]一种氧化锌薄膜的制备方法在审
申请号: | 201210545161.X | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103866284A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 解婧;李超波;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/56;C23C16/40 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;
(2)向所述原子层沉积设备反应腔中通入含锌前驱体源,所述含锌前驱体源中的锌原子吸附于所述衬底表面;
(3)向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氮前驱体源,然后通过等离子体将所述含氮前驱体源电离,电离后所述含氮前驱体源中的氮原子部分沉积,与所述衬底表面的锌原子形成氮锌共价键;或,通过等离子体将含氮前驱体源电离,然后将电离的所述含氮前驱体源通入所述原子层沉积设备反应腔中,电离后所述含氮前驱体源中的氮原子部分沉积,与所述衬底表面的锌原子形成氮锌共价键;
(4)重复所述步骤(2)和步骤(3)即可逐层生长氮化锌薄膜;
(5)将所述氮化锌薄膜进行热氧化,或者向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氧前驱体源,实现氧替位氮的有效掺杂,得到氧化锌薄膜。
2.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)之前还包括步骤:所述衬底的表面经过处理,所述衬底处理后的表面吸附有羟基。
3.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中将衬底放置于原子层沉积设备反应腔中可通过手动放置、机械手放置或软件控制机械手放置。
4.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中的含锌前驱体源为二甲基锌、二乙基锌或醋酸丙酮锌。
5.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中的含氮前驱体源为氮气、一氧化氮、二氧化氮、氨气。
6.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中所述等离子体电离所述含氮前驱体源的放电功率为10W~100W,放电时间为1s~5s。
7.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)还包括:所述含锌前驱体源中的锌原子吸附于所述衬底表面后,吹扫所述原子层沉积设备反应腔,使所述原子层沉积设备反应腔恢复本底真空,所述本底真空的范围是0.0001Torr~0.1Torr。
8.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)还包括:形成氮锌共价键后,吹扫所述原子层沉积设备反应腔,使所述原子层沉积设备反应腔恢复本底真空,所述本底真空的范围是0.0001Torr~0.1Torr。
9.如权利要求8所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)还包括:所述原子层沉积设备反应腔恢复本底真空后,调整所述衬底上沉积物表面反应活性。
10.如权利要求1所述的氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中通入的含氧前驱体源为氧气或水。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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