[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及使用其的有机发光显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于基板上的下栅极电极、位于所述下栅极电极上的有源层、位于所述有源层上的源极和漏极电极、以及位于所述源极电极、漏极电极和有源层上的上栅极电极，所述上栅极电极覆盖由所述源极和漏极电极界定的沟道区域；和

将所述下栅极电极与所述上栅极电极电连接的接触部。

2.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，其中所述接触部由与所述源极和漏极电极相同的材料形成。

3.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，其中所述薄膜晶体管进一步包括位于所述有源层上的蚀刻阻挡层。

4.根据权利要求3所述薄膜晶体管基板，其中所述蚀刻阻挡层形成在包括所述有源层的所述基板的整个表面上。

5.根据权利要求4所述薄膜晶体管基板，其中所述薄膜晶体管进一步包括：

夹在所述下栅极电极与所述有源层之间的栅极绝缘层；和

夹在所述上栅极电极与所述源极/漏极电极之间的第一钝化层，

其中在所述栅极绝缘层和所述蚀刻阻挡层中形成第一接触孔，在所述第一钝化层中形成第二接触孔，

所述接触部至少填充所述第一接触孔，所述上栅极电极至少填充所述第二接触孔，和

所述下栅极电极和所述接触部通过所述第一接触孔彼此接触，所述上栅极电极和所述接触部通过所述第二接触孔彼此接触。

6.根据权利要求5所述薄膜晶体管基板，其中所述第一接触孔和所述第二接触孔彼此不重叠。

7.根据权利要求4所述薄膜晶体管基板，

其中在所述蚀刻阻挡层中形成暴露所述有源层的第一接触孔和第二接触孔，

其中所述源极电极通过所述第一接触孔与所述有源层接触，所述漏极电极通过所述第二接触孔与所述有源层接触。

8.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，其中所述接触部形成为岛形，或者所述接触部与另一薄膜晶体管的源极电极或漏极电极形成为一体。

9.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，其中所述下栅极电极和所述上栅极电极由不同的材料形成。

10.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，其中所述上栅极电极由透明度高于所述下栅极电极的材料形成。

11.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，进一步包括：

夹在所述上栅极电极与所述源极/漏极电极之间的第一钝化层；

在所述第一钝化层上与所述上栅极电极隔开预定间隔的连接电极，所述连接电极由与所述上栅极电极相同的材料形成；

位于所述连接电极上的平坦化层；

位于所述平坦化层上的第二钝化层；和

位于所述第二钝化层上的像素电极，

其中所述像素电极通过所述连接电极与所述源极电极或漏极电极电连接。

12.根据权利要求11所述薄膜晶体管基板，

其中在所述第一钝化层中形成暴露所述连接电极和所述源极电极或漏极电极的第一接触孔，

在所述平坦化层和所述第二钝化层中形成暴露所述连接电极的第二接触孔，

其中所述连接电极至少填充所述第一接触孔，所述像素电极至少填充所述第二接触孔，和

所述连接电极通过所述第一接触孔与所述源极电极或漏极电极接触，所述像素电极通过所述第二接触孔与所述连接电极接触。

13.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，其中所述上栅极电极用作有机发光二极管的阳极电极。

14.根据权利要求1所述薄膜晶体管基板，其中所述有源层由氧化物半导体形成。