[发明专利]富硒生态大米的生产方法无效
申请号: | 201210545446.3 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103026938A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 金德财;胡奇;聂沪平 | 申请(专利权)人: | 上海园康富硒生物科技有限公司 |
主分类号: | A01G16/00 | 分类号: | A01G16/00;A01C1/00;A01C21/00;C05D9/02 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中;陈少凌 |
地址: | 200122 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生态 大米 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及水稻富硒栽培领域,具体涉及一种富硒生态大米的生产方法。
背景技术
硒是一种人体生命不可缺少的微量元素之一,它能增强人体的免疫功能,并具有防癌、抗癌的作用,对糖尿病、心脑血管疾病也能起到很好的预防和治疗的作用,缺硒也可导致各种眼疾的发生。补硒是最好的预防癌症的措施,但是硒直接服用不易被人体所吸收,最好的补硒措施是从食物中摄取硒达到补硒的目的。通过食用富硒大米来达到补充硒的目的,是很好的解决办法。
水稻属非聚硒植物,但对硒仍具有一定的生物富集能力和有机转化能力。适量施硒能够增强水稻种子活力,提高秧苗素质和促进生长;低浓度硒对稻谷发芽有促进作用,但随着硒浓度的提高,促进作用逐渐变为毒害作用。因此,在富硒水稻的种植中必须注意硒肥的合理施用。此外,硒肥作为底肥或追肥施入土壤中,施用过量时容易对环境造成硒污染。因此,水稻富硒栽培需要优质的硒肥、科学的硒肥施用技术,在提高大米中有机硒含量的同时还应该减少硒肥对环境的污染。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术存在的不足,提供一种富硒生态大米的生产方法。采用本发明的富硒有机肥施用方法,制得的富硒大米中硒含量为0.2mg/kg,锌含量为15mg/kg,达到优质富硒大米的标准;同时,自制的富硒有机肥采用合理的配比,充分利用硒元素与锌、硅、铁、钼、铝等其他元素的协同效应,能有效防止土壤污染、改良土壤结构和品质,并且对土壤中的重金属有吸附和转化功能。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明涉及一种富硒生态大米的生产方法,包括如下步骤:
A、稻种处理:将富硒有机肥加水稀释600倍形成富硒有机肥溶液;稻种用浸种药剂浸种12~18小时,然后用富硒有机肥溶液浸种1天,催芽播种;
B、苗床施肥:在水稻的苗期施肥时,将富硒有机肥施加在苗床上,施肥量为20~50kg/100m2;
C、喷洒:在水稻破口期、乳熟期各喷洒1次加水700倍稀释的富硒有机肥,所述稀释后的富硒有机肥喷施在水稻叶面上;
D、收获:水稻成熟时,收获即得所述富硒生态大米。
优选地,步骤A中,所述稻种为寒优湘晴水稻种子。
优选地,步骤A中,所述富硒有机肥是由20~50重量份的酸化矿物质粉料和35~48重量份的生物有机肥混合发酵制备而得的。
优选地,所述酸化矿物质粉料是将矿物质粉料120~160℃加热1~2h后,冷却至常温,加入占矿物质粉料总重0.5~1%的醋酸溶液中酸化而制得的;所述矿物质粉料是由以下重量份数的各组分组成的:含硒煤矸石8~20、含硒麦饭石10~25、木鱼石5~10、沸石6~15、氧化锌3~5。
优选地,所述矿物质粉料为60~80目。
优选地,所述含硒煤矸石中硒含量为200~250mg/kg;所述含硒麦饭石中硒含量为100~150mg/kg。
优选地,步骤A中,所述浸种药剂为重量比为1∶1∶500的17%菌虫清可湿性粉剂、10%吡虫啉可湿性粉剂和水配制而成的。
优选地,步骤A中,每4~5kg稻种用10kg的所述浸种药剂进行浸种。
优选地,步骤B中,所述将富硒有机肥施加在苗床上具体为将富硒有机肥施埋在表土层15cm以内,上面覆盖薄土。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
1、采用常规浸种药剂和富硒有机肥阶梯分段浸种,既缩短了水稻浸种催芽的时间,又提高了水稻浸种催芽的质量,
2、采用本发明的富硒有机肥施用方法,制得的富硒大米中硒含量为0.2mg/kg,锌含量为15mg/kg,达到优质富硒大米的标准;
3、采用的富硒有机肥采用合理的组分配比,充分利用硒元素与锌、硅、铁、钼、铝等其他元素的协同效应,能有效防止土壤污染、改良土壤结构和品质,并且对土壤中的重金属有吸附和转化功能;
4、采用的富硒有机肥通过矿物质粉末原料加热处理后,进一步使矿物质得到充分活化,使其中的微量元素得到充分释放,同时也更好的促进了微量元素之间的协同效应。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
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