[发明专利]晶体管布局装置

权利要求书

1.一种晶体管布局装置，包含：一个半导体基底、一个置于该半导体基底的一顶面的栅极结构、一层位于该半导体基底上方的第一金属层，及一层位于该第一金属层上方的第二金属层；其特征在于：该半导体基底包括一个板本体，及形成于该板本体中的多数个漏极区及多数个源极区，所述漏极区分别设置于两相邻的源极区间，所述源极区分别设置于两相邻的漏极区间，而使所述漏极区与所述源极区相配合成阵列排列；该栅极结构包括多数条分别位于任两相邻的漏极区与源极区间且彼此电连接的栅极，所述漏极区、所述源极区，及所述栅极构成一晶体管阵列；该第一金属层包括多数个第一块状区及一个第一图案化板状区，所述第一块状区分别对应电连接所述漏极区，该第一图案化板状区间隔地围绕所述第一块状区，并电连接所述源极区；该第二金属层包括多数个第二块状区及一个第二图案化板状区，所述第二块状区分别电连接该第一图案化板状区，该第二图案化板状区间隔地环围所述第二块状区，并电连接所述第一块状区。

2.如权利要求1所述的晶体管布局装置，其特征在于：该晶体管布局装置还包含一个环围该晶体管阵列的环围壁，提供该板本体一基板电压。

3.如权利要求1所述的晶体管布局装置，其特征在于：该晶体管布局装置还包含一层设置于该第一金属层与该第二金属层间的导体连线层，该导体连线层具有多数个连接柱，所述连接柱分别连接所述第一块状区与该第二图案化板状区，及该第一图案化板状区与所述第二块状区。

4.如权利要求3所述的晶体管布局装置，其特征在于：该晶体管布局装置还包含一设置于该半导体基底与该第一金属层间的第三金属层，该第三金属层包括多数个分别设置于所述漏极区与所述源极区上方的第三块状区，并分别电连接所述漏极区与所述第一块状区，及所述源极区与该第一图案化板状区。

5.如权利要求1所述的晶体管布局装置，其特征在于：该半导体基板具有5个漏极区及4个源极区，而使所述漏极区与所述源极区相配合成3×3的阵列。

6.如权利要求1所述的晶体管布局装置，其特征在于：该栅极结构的每一条栅极具有一层形成于该半导体基底的一个顶面的介电层，及一层形成于该介电层上的电极层。

7.如权利要求1所述的晶体管布局装置，其特征在于：该板本体成第一半导体特性，所述源极区与所述漏极区成第二半导体特性。