[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法有效

申请号：	201210546009.3	申请日：	2012-12-14
公开（公告）号：	CN103035791A	公开（公告）日：	2013-04-10
发明（设计）人：	王明军;魏世祯;胡加辉	申请（专利权）人：	华灿光电股份有限公司
主分类号：	H01L33/06	分类号：	H01L33/06;H01L33/02
代理公司：	北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138	代理人：	徐立
地址：	430223 湖北省***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种发光二极管外延及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述p型层直接设于所述多量子阱层上，所述多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层，所述第一多量子阱层由若干个In_aGa_1-aN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，所述第一多量子阱层中的所述若干个量子垒层中至少一个为Al_xIn_yGa_1-x-yN层，其中，0＜x＜1，0≤y＜0.5；所述第二多量子阱层由若干个In_bGa_1-bN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，且a≤b。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述Al_xIn_yGa_1-x-yN层为n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层为Si掺杂Al_xIn_yGa_1-x-yN层。

4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述n型层由n型掺杂的GaN制成，所述n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层的n型掺杂的浓度不高于所述n型层的n型掺杂的浓度。

5.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述n型掺杂的浓度小于等于1×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，各n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层的n型掺杂浓度相同。

7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，各Al_xIn_yGa_1-x-yN层的组分含量相同。

8.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一多量子阱层中的各所述Al_xIn_yGa_1-x-yN量子垒层的厚度不超过15nm。

9.一种发光二极管的外延片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、n型层；

在所述n型层上生长第一多量子阱层，所述第一多量子阱层由若干个In_aGa_1-aN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成，所述第一多量子阱层中的所述若干个量子垒层中至少一个为Al_xIn_yGa_1-x-yN层，其中，0＜x＜1，0≤y＜0.5；

在所述第一多量子阱层上生长第二多量子阱层，所述第二多量子阱层由若干个In_bGa_1-bN量子阱层和若干个所述量子垒层交替层叠而成，且a≤b；

在所述第二多量子阱层上生长p型层。