[发明专利]具有终端结构的金氧半二极管元件及其制法

权利要求书

1.一种具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，包含：

一基板，具有至少一第一导电型外延层，该第一导电型外延层具有多个平台区；

多个浅沟槽区域，分别环绕该些平台区；

多个第二导电型半导体区，位在该些平台区外侧浅沟槽区域内；

多个栅极氧化层，分别位于该些平台区之上；

多个多晶硅层，分别位在该些栅极氧化层上；

多个屏蔽氧化层，分别位在该些多晶硅层上，且覆盖该些多晶硅层的部分上表面，其中该屏蔽场氧化层的厚度较该栅极氧化层厚；

一终端结构，包含：

一沟槽，形成于该第一导电型外延层上；

至少一氧化层，位于该沟槽内；及

侧壁多晶硅层，位在该沟槽侧壁的该氧化层上；及

一金属复合层，覆盖该些第二导电型半导体区、该多晶硅层、该屏蔽氧化层、及至少该沟槽中的该氧化层及该侧壁多晶硅层。

2.根据权利要求1的具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，该第一导电型为N型；第二导电型为P型。

3.根据权利要求1的具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，该金属复合层包含一第一金属层及一第二金属层。

4.根据权利要求1的具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，该第一金属层为钛金属或氮化钛。

5.根据权利要求1的具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，该第二金属层为铝。

6.根据权利要求1的具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，还包含一场氧化层结构，位于终端结构中的该第一导电型外延层上，且在该沟槽外。

7.根据权利要求4的具有终端结构的金氧半二极管元件，其特征在于，在该第一金属层形成后，再进行一快速氮化工程处理。

8.一种具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，包含：

（a）提供一基板具有至少一第一导电型外延层，该第一导电型外延层中具有一沟槽，其中该沟槽一侧为该金氧半二极管元件的一元件区域，而该沟槽的另一侧为该金氧半二极管元件的一终端区域，其中在该沟槽中至少具有一氧化层；

（b）于所得结构上依序成长一栅极氧化层、一多晶硅层及一屏蔽氧化层；

（c）利用光阻及蚀刻，于该元件区域上形成多个平台，于平台外侧具有浅沟槽区域，及于该沟槽侧壁上形成侧壁多晶硅层；

（d）于浅沟槽区域中进行离子植入以形成第二导电型半导体区；及

（e）于该元件区域及该沟槽上形成一金属复合层。

9.根据权利要求8的具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，步骤（c）中还包含：

（c1）使用光阻及等向性蚀刻，以移除未被光阻覆盖的屏蔽氧化层。

10.根据权利要求9的具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，在步骤（c1）的后还包含：

（c2）使用光阻及对于多晶硅层与氧化层的非等向性蚀刻，以移除未被光阻覆盖的多晶硅层与栅极氧化层。

11.根据权利要求10的具有终端结构的金氧半二极制法，其特征在于，在步骤（c2）之后还包含：

（c3）使用光阻及对于外延硅的非等向性蚀刻，以在第一导电型外延层上蚀刻出该浅沟槽区域，以界定该平台。

12.根据权利要求8的具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，该第一导电型为N型；第二导电型为P型。

13.根据权利要求8的具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，该金属复合层包含一第一金属层及一第二金属层。

14.根据权利要求13的具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，该第一金属层为钛金属或氮化钛，该第二金属层为铝。

15.根据权利要求14的具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，在该第一金属层形成后，再进行一快速氮化工程处理。

16.根据权利要求8的具有终端结构的金氧半二极管元件制法，其特征在于，该屏蔽场氧化层的厚度较该栅极氧化层厚。