[发明专利]已做发射区推进的三极管hfe的二次增大方法

权利要求书

1.一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，包括下列步骤：

测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益；

若小信号正向电流增益低于合格值，则对所述晶圆进行小信号正向电流增益的二次增大，具体包括：

将所述晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体；

将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度；

将所述扩散炉在第二温度附近保温一段时间；保温时间由需要达到的小信号正向电流增益决定，增益越大所述保温时间越长；

将所述炉内温度降温至第三温度，然后取出所述晶圆；

所述第一温度为600～800摄氏度，所述第二温度为1000～1100摄氏度，所述第三温度为600～800摄氏度。

2.根据权利要求1所述的已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，所述保护气体为氧气，所述将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度的步骤中保持氧气环境，所述将扩散炉在第二温度附近保温一段时间的过程中通入氮气使炉内变为氮气环境。

3.根据权利要求1或2所述的已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，所述第二温度为1050摄氏度。

4.根据权利要求3所述的已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，所述第一温度和第三温度为700摄氏度。

5.根据权利要求1所述的已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，所述需要达到的小信号正向电流增益和保温时间满足如下关系：其中T为所述保温时间，单位分钟，h_fe为所述小信号正向电流增益。