[发明专利]芯片级测试装置

说明书

技术领域

本发明涉及芯片测试领域，特别是涉及一种芯片级测试装置。

背景技术

随着电子技术的发展，电子芯片的应用越来越广泛。在使用芯片前需要对芯片的参数进行测试，以便在封装前，剔出失效芯片，降低封装成本。使用测试针对芯片进行测试时，测试针经常使用会造成其针尖氧化，出现针尖氧化现象会影响测试针与芯片压焊区的接触性，造成接触不良、接触电阻大，影响芯片测试参数的准确性。

一般的测试使用开尔文测试法，从硬件的角度出发解决接触电阻的问题，针对芯片级大功率的晶体管进行测试时需要四根测试针，在晶体管的基区压焊区和发射区的压焊区各扎两根进行测试。

但是，使用开尔文法进行测试，当压焊区的面积很小时，需要使用昂贵的探卡固定测试针，探卡的维护成本很高；当更换测试的产品时需要同步更换探卡，效率较低；针对芯片级大功率晶体管进行测试时需要使用四根测试针，成本较高。

发明内容

基于此，有必要针对使用开尔文测试法对芯片进行测试成本较高、效率较低的问题，提供一种成本低且效率高的芯片级测试装置。

一种芯片级测试装置，用于测试芯片的电气特性参数，包括测试针和测试模块，所述测试模块通过所述测试针连接所述芯片的测试位置，还包括击穿模块，所述击穿模块的击穿电流输出端连接所述测试针；

所述击穿模块用于提供击穿电流，击穿所述测试针与所述芯片的测试位置的接触电阻；

所述测试模块用于在所述击穿模块击穿所述测试针与所述芯片的测试位置的接触电阻后对所述芯片进行芯片级测试。

在其中一个实施例中，所述击穿模块为电流源模块或电压模块。

在其中一个实施例中，所述电流源模块提供的击穿电流小于所述芯片的安全电流，所述电压模块提供的击穿电压小于所述芯片的安全电压。

在其中一个实施例中，所述电压模块、所述电流源模块均为可调电源。

在其中一个实施例中，所述芯片为芯片级晶体管。

在其中一个实施例中，测试所述芯片级晶体管的电气特性参数时，所述测试针分别连接所述芯片级晶体管的基区压焊区和发射区压焊区。

在其中一个实施例中，还包括测试针架，用于将所述测试针固定在所述芯片所在的承片台上方。

在其中一个实施例中，所述测试针为高电流测试针。

在其中一个实施例中，还包括显示模块，所述显示模块连接所述测试模块，用于显示测试模块测试的数据。

在其中一个实施例中，还包括存储模块，所述存储模块连接所述测试模块，用于存储所述测试模块的测试数据。

上述芯片级测试装置，包括测试针、测试模块和击穿模块，击穿模块提供击穿电流击穿测试针与芯片连接处的接触电阻，使测试模块与芯片之间接触良好，测试模块在击穿模块击穿测试针与芯片的接触电阻后对芯片进行芯片级测试。该芯片级测试装置，通过设置击穿模块击穿测试针与芯片的测试位置接触时的接触电阻，避免了因测试针氧化造成与芯片接触不良引起的误测；并且该芯片级测试装置在不改变硬件条件的情况下实现了降低接触电阻，避免了探卡的使用降低了成本。

附图说明

图1为本发明一实施例的芯片级测试装置结构示意图；

图2为本发明一实施例测试三极管集电极-发射极间饱和压降电路原理图；

图3为本发明一实施例测试三极管基极-发射极电压电路原理图；

图4为本发明又一实施例的芯片级测试装置结构示意图。

具体实施方式

一种芯片级测试装置，通过设置击穿模块，将因经常使用产生针尖氧化的测试针击穿，在不改变装置的硬件情况下使测试模块与芯片的测试位置接触良好，避免了常规的开尔文测试需要使用四根测试针成本高，当芯片的引脚的压焊区很小时开尔文测试需要使用高成本、高维护费用探卡的问题，且该芯片级测试装置仅使用常见的测试针架，比较灵活且成本低。

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步详细的说明。

图1所示，为本发明一实施例的芯片级测试装置结构示意图。一种芯片级测试装置，用于测试芯片10的电气特性参数，包括测试针220、测试模块240和击穿模块260。击穿模块260的击穿电流输出端连接测试针220，通过提供击穿电流击穿测试针220与芯片10的测试位置的接触电阻；测试模块240通过测试针220连接芯片10的测试位置，在击穿模块260完成击穿测试针220与芯片10之间的接触电阻后，对芯片10进行电气特性参数测试。