[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210548299.5 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103165668A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·穆勒;安可·赫琳哈 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括位于GaN层上的AlGaN层的半导体衬底；
第一接触，和
第二接触，
其中，所述AlGaN层的平均厚度在所述第一接触和所述第二接触之间变化，用于在所述第一接触和所述第二接触之间调节所述GaN层中的电子气的密度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述AlGaN层的上表面的至少一部分包括用于改变所述AlGaN层的平均厚度的多个凹部。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述凹部的密度变化，用于改变所述AlGaN层的平均厚度。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中所述凹部的深度在所述AlGaN层的局部厚度的30％和100％之间。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的半导体器件，其中所述凹部排列成规则阵列。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体器件，其中所述凹部包括凹槽。
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述AlGaN层在所述第一接触和所述第二接触之间的平均厚度T在10nm＜T＜40nm的范围内。
8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，包括具有源极、栅极和漏极的高电子迁移率晶体管，其中所述第一接触包括所述源极，并且所述第二接触包括所述漏极。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述AlGaN层在所述源极和所述栅极之间的平均厚度大于所述AlGaN层在所述栅极和所述漏极之间的平均厚度。
10.根据权利要求8或9所述的半导体器件，其中所述AlGaN层的平均厚度从所述栅极至所述漏极增加。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述AlGaN层的平均厚度从所述栅极至所述漏极或者线性地增加，或者按照一系列的一个或更多个台阶增加。
12.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，其中所述第一接触包括肖特基势垒二极管的阳极，并且其中所述第二接触包括所述肖特基势垒二极管的阴极。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述AlGaN层的平均厚度从所述阳极至所述阴极增加。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述AlGaN层的平均厚度从所述阳极至所述阴极或者线性地增加，或者按照一系列的一个或更多个台阶增加。
15.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：
在衬底上形成GaN层；
在GaN层上形成AlGaN层；
形成该半导体器件的第一接触和第二接触；以及
在所述第一接触和所述第二接触之间改变所述AlGaN层的平均厚度，用于在所述第一接触和所述第二接触之间调节所述GaN层中的电子气的密度。
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