[发明专利]‘遗字138'甘薯脱毒茎尖苗MS专用培养基无效

专利信息
申请号: 201210548481.0 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN103004597A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 李仁崑;周小丽;王忠义;杨殿伶 申请(专利权)人: 北京市农业技术推广站
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王朋飞;张庆敏
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 遗字 138 甘薯 脱毒 茎尖苗 ms 专用 培养基
【说明书】:

技术领域

发明涉及‘遗字138’甘薯脱毒茎尖苗MS专用培养基。

背景技术

食用型甘薯品种‘遗字138’于1960年由中国科学院遗传研究所育成,含糖量较高,蒸烤品质极佳。适宜春、夏薯栽培,产量高,上市早,薯块大小较均匀适中,耐贮藏性好,多年来一直为北京郊区甘薯主栽品种,常年维持在3万亩左右,且深受城乡人民喜爱。

但近几年其生产面临着一个严峻的考验:多年种植造成病毒在体内积累,出现严重的种性退化,抗病性减退,感染带毒率提高,产量降低,品质下降等问题。国内外研究表明,解决因病毒出现的一系列问题,主要有两种途径:一、培育抗病毒品种;二、茎尖分生组织培养。利用茎尖分生组织携带病毒很少、甚至不带病毒的特点,进行离体培养,获得无病毒植株。茎尖分生组织培养环节中,MS培养基配方适应性,直接影响组培苗成活率,进而种薯(苗)的繁殖效率。研究‘遗字138’专用MS培养基,有助于提高种薯(苗)数量和质量,降低种薯(苗)生产成本,提升品种推广普及速度。

发明内容

本发明的目的是提供一种‘遗字138’甘薯脱毒茎尖苗MS专用培养基。

为了实现本发明目的,本发明的一种‘遗字138’甘薯脱毒茎尖苗MS专用培养基,所述培养基配方为:MS+IAA 0.5~1.0mg/L+BAP 1.0mg/L+GA3 0~0.5mg/L+蔗糖30~40g/L+琼脂8g/L。

优选地,所述培养基配方为:MS+IAA 0.5mg/L+BAP 1.0mg/L+GA3 0mg/L+蔗糖30g/L+琼脂8g/L。

本发明还提供所述专用培养基在‘遗字138’甘薯茎尖分生组织培养中的应用。从消毒后的茎尖上剥取较大的幼叶和叶原基,切取0.3-0.4mm含有1-2片叶原基的茎尖分生组织,接种在所述专用培养基上,置于26~28℃,光照强度3000LX,13h/d的条件下培养。

其中,茎尖采用两步法消毒:用水洗净,然后用75%酒精处理30秒,再用2%次氯酸钠溶液消毒5-6分钟,最后用无菌水冲洗2-3次。

目前已报道的有关甘薯茎尖培养的培养基的筛选,基本上是随机选择激素配比,或单独改变培养基中某个激素的浓度,接种茎尖进行培养,从中筛选出出苗率最高的培养基配方,其属于随机性筛选,忽视了激素间的交互作用,筛选出的配方成苗率一般较低,并且工作量大。而本发明在筛选最佳培养基配方时,通过正交设计试验,选取4个因素:生长素(IAA)、细胞分裂素(BAP)、赤霉素(GA3)和蔗糖,将含有1-2片叶原基的茎尖分生组织,接种在各处理组合的培养基上进行培养,观察成苗率和芽的生长表现,统计分析得到最佳水平的培养基配方。

本发明通过正交设计试验和统计学方法,综合多个因素,同时考虑单个因素和多个因素的交互作用,最终筛选出符合试验目的的设计方案。本试验通过正交设计筛选出的‘遗字138’甘薯最佳的培养基配方为MS+0.5mg/L IAA+1.0mg/L BAP+30g/L蔗糖+8g/L琼脂,成苗率高,有助于提高种薯(苗)数量和质量,降低种薯(苗)生产成本,提升品种推广普及速度。

具体实施方式

以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。若未特别指明,实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段,所用原料均为市售商品。

实施例‘遗字138’甘薯脱毒茎尖苗MS专用培养基筛选试验

1.1茎尖消毒

采用两步法消毒:用流水冲洗数分钟后,在超净工作台上操作,先用75%酒精处理30秒,再用2%次氯酸钠溶液消毒5-6分钟,最后用无菌水冲洗2-3次。

1.2茎尖剥离和培养

为研究激素和糖分对‘遗字138’甘薯茎尖培养的影响,筛选最佳培养基配方,进行了正交设计试验。取四个因素:IAA、BAP、GA3和蔗糖,每个因素设三个位级(据相关研究,生长素和细胞分裂素是甘薯组织培养必需的两类激素,是启动细胞分裂、脱分化和再分化的关键,而赤霉素类主要作用是促进植物茎的伸长,在植物组培中并不常用,所以浓度梯度从0开始设置),见表1,共有9个处理组合。把消毒好的茎尖放在显微镜下,用解剖刀一层一层剥取茎尖上较大的幼叶和叶原基,切取0.3-0.4mm含有1-2片叶原基的茎尖分生组织,接种在各处理组合的培养基上,每个处理3次重复,每个重复30个微茎尖。置于26~28℃,光照强度3000LX,13h/d的条件下培养。培养50天观察成苗率和芽的生长表现,统计分析得到最好水平的培养基配方,进入茎尖大量剥离和培养阶段。

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