[发明专利]一种电感耦合等离子装置有效
| 申请号： | 201210548861.4 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103874314A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;杨平;刘志强;苏兴才 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电感 耦合 等离子 装置 | ||
1.一种等离子体处理腔室，其中，包括：
腔体，其包括顶板，所述顶板构成一绝缘材料窗；
基片支撑装置，设置于所述腔体内的绝缘材料窗下方；
射频功率发射装置，设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述腔体内；
气体注入器，用于向所述腔体内供应处理气体，
壳体，其设置于所述腔体内以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方，以限制处理气体的流动，所述壳体上下皆开口，且其上开口的直径大于所述下开口的直径。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述壳体和所述基片支撑装置之间的间隙的宽度是可调的。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述挡板由绝缘材料制成。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述绝缘材料包括阳极化的铝、陶瓷和石英的任一项。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述壳体的上开口直径小于所述腔室的顶部宽度。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述壳体的下开口直径的取值范围为大于100mm。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述壳体的下开口位于所述基片支撑装置的正上方外围。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述气体注入器与所述壳体上开口切线呈锐角设置。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述气体注入器与所述壳体上开口切线之间夹角的取值范围为5°~60°。
10.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述等离子体处理腔室还包括一固定装置，其用于将所述壳体固定于腔室内部。
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