[发明专利]二硫化碳衍生物修饰水溶性CdTe/CdS量子点的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210549191.8 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN102977888A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 刘璐;闫志强;何丹农 申请(专利权)人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88
代理公司: 上海东方易知识产权事务所 31121 代理人: 唐莉莎
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 二硫化碳 衍生物 修饰 水溶性 cdte cds 量子 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二硫化碳衍生物修饰水溶性CdTe/CdS量子点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

a.  合成二硫化碳衍生物:以重量份数计,将5-500份的氨基化合物溶解于100-500份的乙醇中,加入20%的氢氧化钠溶液,调节其pH值为10左;然后加入1-100份的二硫化碳,超声5分钟,即可以得到带有硫代羧酸结构的二硫化碳衍生物;

b.  将从步骤a中得到的1-300份二硫化碳衍生物,加入到50-3000份的CdTe/CdS量子点溶液中,氮气保护下,75 ℃反应1小时;

c.  步骤b得到的反应液,加入丙酮,离心纯化后,可以得到二硫化碳衍生物修饰的CdTe/CdS水溶性量子点。

2.根据权利要求1所述二硫化碳衍生物修饰水溶性CdTe/CdS量子点的制备方法,其特征在于,所述的氨基化合物为至少含有一个羧基的伯胺或仲胺的小分子化合物,其分子量在1000以内。

3.根据权利要求2所述二硫化碳衍生物修饰水溶性CdTe/CdS量子点的制备方法,其特征在于,所述至少含有一个羧基的伯胺或仲胺的小分子化合物为2,3,-二氨基丙酸、2,6,-二氨基己酸、N-(亚胺乙酸)丙酸、四聚甘氨酸、N-(5-氨基-1羧基戊基)亚氨基二乙酸、亚氨基二乙酸、2-氨基-3-咪唑基-丙酸、2-氨基-3-巯基-丙酸、氨基乙酸、2-氨基-3-羟基-丙酸中的一种。

4.根据权利要求4所述二硫化碳衍生物修饰水溶性CdTe/CdS量子点的制备方法,其特征在于,所述的CdTe/CdS量子点包括各个发光波长的CdTe/CdS量子点,其表面修饰的配体为巯基丙酸MPA,或巯基乙酸TGA。

5.根据权利要求1所述二硫化碳衍生物修饰水溶性CdTe/CdS量子点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 

a.  合成二硫化碳衍生物:以重量份数计,将13份的亚氨基二乙酸(IA)溶解于100份的乙醇中,加入20%的氢氧化钠溶液,调节其pH值到10;然后加入5份的二硫化碳(CS2),超声5分钟,即可以得到带有硫代羧酸结构的二硫化碳衍生物IA-DTC;

b.  将从步骤a中得到的15份二硫化碳衍生物,加入到500份的CdTe/CdS量子点溶液中,氮气保护下,75 ℃反应1小时;

c.  步骤b得到的反应液,加入丙酮,离心纯化后,可以得到二硫化碳衍生物修饰的CdTe/CdS水溶性量子点。

6.根据权利要求5所述二硫化碳衍生物修饰水溶性CdTe/CdS量子点的制备方法,其特征在于,所述CdTe/CdS量子点溶液波长为540 nm,表面配体为巯基丙酸MPA。

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