[发明专利]一种再布线QFN封装器件的制造方法

权利要求书

1.一种再布线QFN封装器件的制造方法，其特征在于，再布线QFN封装器件包括：

芯片载体配置于封装器件的中央部位；

多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；

绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；

IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上；

第一金属材料层围绕IC芯片排列；

引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；

IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；

第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面；

塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层、再布线层和芯片载体，仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层；

该方法包括以下步骤：

（a）采用曝光显影方法，在金属基材上表面形成具有窗口的掩膜材料层；

（b）以具有窗口的掩膜材料层作为抗蚀层，对金属基材上表面进行蚀刻，形成芯片载体、引脚和凹槽；

（c）移除配置于金属基材上表面的掩膜材料层；

（d）采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料；

（e）采用曝光显影方法，在绝缘填充材料和引脚的表面位置制作具有窗口的掩膜材料层；

（f）依次采用化学镀和电镀方法在掩膜材料层的窗口中制作再布线层；

（g）移除配置于绝缘填充材料的表面的掩膜材料层；

（h）采用电镀或化学镀方法在再布线层的表面部分配置第一金属材料层；

（i）通过粘贴材料将IC芯片配置于芯片载体上；

（j）IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；

（k）采用注塑方法用塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、再布线层、第一金属材料层和芯片载体，塑封后进行烘烤后固化；

（l）采用机械磨削方法或者蚀刻方法对金属基材进行减薄，形成独立的芯片载体和引脚；

（m）采用化学镀方法在芯片载体和引脚的下表面制作第二金属材料层；

（n）分离形成独立的单个封装件。

2.根据权利要求1所述的再布线QFN封装器件的制造方法，其特征在于，经蚀刻形成的芯片载体和引脚的厚度范围为0.03mm-0.15mm。

3.根据权利要求1所述的再布线QFN封装器件的制造方法，其特征在于，依次采用化学镀和电镀方法制作的再布线层的厚度范围为0.02mm-0.15mm。

4.根据权利要求1所述的再布线QFN封装器件的制造方法，其特征在于，采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割分离形成单个封装件，且仅切割塑封材料和绝缘填充材料。